[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括周边布线区，所述周边布线区包括防静电释放区域，所述防静电释放区域包括基板，形成在所述基板上的栅线、栅绝缘层、数据线、保护层和透明电极，其特征在于，

所述栅绝缘层上形成有第一过孔，所述保护层上与所述第一过孔对应的位置上形成有第二过孔，所述栅线、数据线和透明电极通过所述第一过孔和第二过孔连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明电极包括第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极与所述第二透明电极之间形成有钝化层，所述钝化层上与所述第一过孔对应的位置上形成有第三过孔。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极与第二透明电极中位于上层的透明电极为狭缝电极。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层采用的材料为有机树脂。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述有机树脂为以Si-C或Si-O为主链的有机树脂中的一种、或两种的混合。

6.根据权利要求1或5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极过孔区域，所述公共电极过孔区域包括形成在所述基板上的栅线、栅绝缘层、栅线保护层、保护层和透明电极；其中，

所述栅绝缘层上形成有第四过孔，所述保护层上与所述第四过孔对应的位置上形成有第五过孔，所述栅线、栅线保护层和透明电极通过所述第四过孔和第五过孔连接。

7.根据权利要求1或5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括芯片绑定区域，所述芯片绑定区域包括形成在所述基板上的栅绝缘层、数据线、保护层和透明电极；其中，

所述保护层上形成有第七过孔，所述数据线和透明电极通过所述第七过孔连接。

8.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括周边布线区，所述周边布线区包括防静电释放区域，其中，所述防静电释放区域的制造方法包括：在基板上形成栅线、栅绝缘层、数据线、保护层和透明电极，其特征在于，所述方法还包括：在所述栅绝缘层上刻蚀出第一过孔；在所述保护层上与所述第一过孔对应的位置上刻蚀出第二过孔，所述栅线、数据线和透明电极通过所述第一过孔和第二过孔连接。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述透明电极包括第一透明电极和第二透明电极；所述方法还包括：在所述第一透明电极与所述第二透明电极之间形成钝化层，在所述钝化层上与所述第一过孔对应的位置上刻蚀出第三过孔。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一透明电极与第二透明电极中位于上层的透明电极为狭缝电极。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述保护层采用的材料为有机树脂。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述有机树脂为以Si-C或Si-O为主链的有机树脂中的一种、或两种的混合。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，沉积所述有机树脂时包括所述有机树脂固化成型的步骤，其中，所述有机树脂固化成型的条件为：将所述有机树脂在250℃以上温度烘烤，固化成型。

14.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀方法对有机树脂进行刻蚀；其中，所述干法刻蚀为：

a1、使用SF6、O2和He的混合气体，在功率为7000W～12000W以上时进行刻蚀；

a2、有机树脂部分刻蚀结束后，使用SF6和He的混合气体，在功率为5000～10000W的功率下进行刻蚀。

15.根据权利要求8至12任一项所述的方法，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极过孔区域，所述公共电极过孔区域的制造方法包括在所述基板上形成栅线、栅绝缘层、栅线保护层、保护层和透明电极；其中，

在所述栅绝缘层上刻蚀出第四过孔，在所述保护层上与所述第四过孔对应的位置上刻蚀出第五过孔，所述栅线、栅线保护层和透明电极通过所述第四过孔和第五过孔连接。

16.根据权利要求8至12任一项所述的方法，其特征在于，所述阵列基板还包括芯片绑定区域，所述芯片绑定区域的制造方法包括在所述基板上沉积栅绝缘层、数据线、保护层和透明电极；其中，

在所述保护层上刻蚀出第七过孔，所述数据线和透明电极通过第七过孔连接。