[发明专利]测量封装功率器件芯片面积的方法

权利要求书

1.一种测量封装功率器件芯片面积的方法，包括：

a)测量封装功率器件的加热响应数据；

b)将加热响应数据转换为温度对开平方根时间的数据，并拟合温度对开平方根时间的数据；

c)根据拟合结果确定芯片面积。

2.根据权利要求1所述的测量方法，其中，步骤a)包括：

放置封装功率器件于恒温平台上；

将器件置于工作状态，给器件一定时间的加热功率；

将器件置于测量状态，并随时间采集器件两侧的电压；

将电压随时间的数据转换为加热响应数据。

3.根据权利要求1所述的测量方法，其中用于测量封装功率器件的加热响应曲线的设备为美国Phase11测量设备。

4.根据权利要求2所述的测量方法，其中：器件从工作状态到测量状态的转换通过高速开关来实现。

5.根据权利要求1所述的测量方法，其中，所述步骤b)将加热响应数据转换为温度对开平方根时间的数据包括将时间数据开平方根，并将温度与开平方根时间数据对应起来。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，拟合温度对开平方根时间的数据的方法为三次样条插值拟合方法。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，拟合温度对开平方根时间的数据包括：确定拟合区间的起始点和终止点获得起始点温度T()和终止点温度T()，并外推获得初始结温T0。

8.根据权利要求7所述的方法，其中步骤c）中确定芯片面积A的公式为A=(2*P*tcut)/(ΔT*πCρλ),]]>其中P为加热功率，△T为温度的变化量T0-T()，C为芯片的热容，ρ是芯片的密度，λ是芯片的热导率。

9.根据权利要求1所述的测量方法，其中，所述封装功率器件为功率垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管VDMOS。