[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

栅线和连接到所述栅线的栅电极；

栅极绝缘层，位于所述栅电极上或位于所述栅电极下；

沟道区域，与所述栅电极交叠，所述栅极绝缘层插设在所述沟道区域与所述栅电极之间；

源极区域和漏极区域，相对于所述沟道区域彼此面对，位于与所述沟道区域相同的层中，并且连接到所述沟道区域；

线形蚀刻停止物和连接到所述线形蚀刻停止物的蚀刻停止物，所述蚀刻停止物交叠所述沟道区域；以及

数据线，延伸为与所述栅线交叉，

其中所述沟道区域、所述源极区域和所述漏极区域包括氧化物半导体，

其中所述源极区域和所述漏极区域的载流子浓度大于所述沟道区域的载流子浓度，和

其中在俯视图中所述线形蚀刻停止物平行于所述栅线延伸、交叠所述栅线、以及与所述数据线交叉。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述源极区域和所述漏极区域包括被还原的氧化物半导体。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述源极区域和所述漏极区域还包括氟(F)、氢(H)和硫(S)中的至少一种。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其中包括在所述源极区域和所述漏极区域中的氟(F)、氢(H)和硫(S)中的至少一种的浓度等于或大于10¹⁵单位/cm³。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其中所述沟道区域的载流子浓度小于10¹⁸单位/cm³，所述源极区域和所述漏极区域的载流子浓度等于或大于10¹⁸单位/cm³。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，还包括：

连接到所述源极区域的源极电极以及连接到所述漏极区域的漏极电极。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，

其中所述蚀刻停止物与所述源极区域和所述漏极区域实质上不交叠。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述蚀刻停止物的边缘边界和所述栅电极的边缘边界实质上对准。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，还包括：

钝化层，位于所述沟道区域、所述源极区域和所述漏极区域上；以及

上栅电极，位于所述钝化层上并且与所述沟道区域交叠。

10.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其中

所述栅极绝缘层和所述栅电极位于所述沟道区域上，以及

所述栅电极的边缘边界、所述栅极绝缘层的边缘边界和所述沟道区域的边缘边界实质上对准。

11.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：

在绝缘基板上形成栅线和连接到所述栅线的栅电极；

在所述栅电极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体图案；

形成蚀刻停止物和连接到所述蚀刻停止物的线形蚀刻停止物，所述蚀刻停止物在所述半导体图案上与所述半导体图案交叉和交叠；

处理所述半导体图案的暴露部分，从而在所述半导体图案的暴露部分中形成源极区域和漏极区域；以及

形成延伸为与所述栅线交叉的数据线，

其中所述源极区域和所述漏极区域的载流子浓度大于沟道区域的载流子浓度，所述沟道区域是所述半导体图案的被所述蚀刻停止物覆盖的部分，和

其中在俯视图中所述线形蚀刻停止物平行于所述栅线延伸、交叠所述栅线、以及与所述数据线交叉。

12.如权利要求11所述的方法，其中处理所述半导体图案包括：还原所述半导体图案。