[发明专利]防误触发型电源钳位ESD保护电路

权利要求书

1.一种防误触发型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，包括ESD冲击探测部件、泄放晶体管、泄放晶体管开启通路以及泄放晶体管关断通路；所述ESD冲击探测部件包括NMOS晶体管Mcn1、Mcn2，电容C1，电阻R1；所述泄放晶体管为NMOS晶体管Mbig；所述泄放晶体管开启通路包括PMOS晶体管Mp2-1、Mp2-2、Mp3以及NMOS晶体管Mn2；所述泄放晶体管关断通路包括PMOS晶体管Mp4、Mp5、Mp6，NMOS晶体管Man1、Man2、Mbn1、Mbn2、Mn3、Mn4-1、Mn4-2，电容C2和C3。

2.如权利要求1所述的防误触发型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，在所述ESD冲击探测部件中，所述NMOS晶体管Mcn1的栅极与所述电容C1的下极板相连，所述电容C1的上极板与防误触发型电源钳位ESD保护电路的电源VDD相连，所述NMOS晶体管Mcn1的源极与所述电阻R1的A端相连，所述电阻R1的B端接地，所述NMOS晶体管Mcn1的漏极与所述电容C1的下极板相连，所述NMOS晶体管Mcn2的栅极与所述电容C1的下极板相连，所述NMOS晶体管Mcn2的源极与所述电阻R1的A端相连，所述NMOS晶体管Mcn2的漏极与所述防误触发型电源钳位ESD保护电路的电源VDD相连；

所述NMOS晶体管Mbig的源极接地，所述NMOS晶体管Mbig的漏极与所述防误触发型电源钳位ESD保护电路的电源VDD相连；

在所述泄放晶体管开启通路中，所述PMOS晶体管Mp2-1的栅极与所述电阻R1的A端相连，所述PMOS晶体管Mp2-1的源极与所述PMOS晶体管Mp2-2的栅极相连，所述PMOS晶体管Mp2-2的源极与所述防误触发型电源钳位ESD保护电路的电源VDD相连，所述PMOS晶体管Mp2-2的漏极与所述PMOS晶体管Mp2-1的源极相连，所述PMOS晶体管Mp2-1的漏极与所述PMOS晶体管Mp3的栅极相连，所述PMOS晶体管Mp3的源极与所述防误触发型电源钳位ESD保护电路的电源VDD相连，所述PMOS晶体管Mp3的漏极与所述泄放晶体管Mbig的栅极相连，所述NMOS晶体管Mn2的栅极与所述电阻R1的A端相连，所述NMOS晶体管Mn2的源极接地，所述NMOS晶体管Mn2的漏极与所述PMOS晶体管Mp3的栅极相连；

在所述泄放晶体管关断通路中，所述PMOS晶体管Mp4的栅极与所述PMOS晶体管Mp5的漏极相连，所述PMOS晶体管Mp5的栅极与所述电阻R1的A端相连，所述PMOS晶体管Mp5的源极与所述防误触发型电源钳位ESD保护电路的电源VDD相连，所述PMOS晶体管Mp4的源极与所述防误触发型电源钳位ESD保护电路的电源VDD相连，所述PMOS晶体管Mp4的漏极与所述PMOS晶体管Mp6的栅极相连，所述PMOS晶体管Mp6的源极与所述防误触发型电源钳位ESD保护电路的电源VDD相连，所述PMOS晶体管Mp6的漏极与所述NMOS晶体管Mn3的栅极相连，所述NMOS晶体管Mn3的源极接地，所述NMOS晶体管Mn3的漏极与所述泄放晶体管Mbig的栅极相连，所述NMOS晶体管Man1的栅极与所述电容C2的下极板相连，所述电容C2的上极板与所述PMOS晶体管Mp5的漏极相连，所述NMOS晶体管Man1的源极接地，所述NMOS晶体管Man1的漏极与所述电容C2的下极板相连，所述NMOS晶体管Man2的栅极与所述电容C2的下极板相连，所述NMOS晶体管Man2的源极接地，所述NMOS晶体管Man2的漏极与所述电容C2的上极板相连，所述NMOS晶体管Mbn1的栅极与所述电容C3的下极板相连，所述电容C3的上极板与所述PMOS晶体管Mp6的漏极相连，所述NMOS晶体管Mbn1的源极接地，所述NMOS晶体管Mbn1的漏极与所述电容C3的下极板相连，所述NMOS晶体管Mbn2的栅极与所述电容C3的下极板相连，所述NMOS晶体管Mbn2的源极接地，所述NMOS晶体管Mbn2的漏极与所述电容C3的上极板相连，所述NMOS晶体管Mn4-1的栅极与所述电容C2的上极板相连，所述NMOS晶体管Mn4-1的源极与所述NMOS晶体管Mn4-2的栅极相连，所述NMOS晶体管Mn4-2的源极接地，所述NMOS晶体管Mn4-2的漏极与所述NMOS晶体管Mn4-1的源极相连，所述NMOS晶体管Mn4-1的漏极与所述PMOS晶体管Mp6的栅极相连。

3.如权利要求1或2所述的防误触发型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述ESD冲击探测部件用于识别加在电源线和地线之间的冲击是否为ESD冲击，如果是ESD冲击，则发出相应信号打开泄放晶体管，如果是正常上电，则不打开泄放晶体管；所述泄放晶体管用于在ESD冲击来临时，为冲击带来的静电电荷提供低阻的泄放通路；所述泄放晶体管开启通路用于在ESD冲击来临时，根据ESD冲击探测部件给出的识别信号来打开泄放晶体管；所述泄放晶体管关断通路，用于在泄放晶体管开启通路把泄放晶体管打开以后，为泄放晶体管的开启状态提供足够的时间延迟，确保静电电荷泄放完成之后，把泄放晶体管关断。