[发明专利]具有倾斜结构的发光二极管封装

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装，尤其涉及一种具有邻近于晶粒的倾斜结构的发光二极管封装。

背景技术

高效能集成电路的封装在本领域中广为人知。工业需求驱动了集成电路封装的改进，以求达到更高的散热及电性表现，与更小之尺寸及更少之制造成本。在发光二极管组件的领域中，发光二极管需要如集成电路组件般进行封装。随着组件尺寸不断地缩小，晶粒密度也不断地提高。在如此之高密度组件中封装的技术需求也必须要提高以满足上述情况。传统上，在覆晶连接方法(flip-chip attachment method)中，一焊锡凸块数组形成于晶粒的表面上。上述焊锡凸块的形成可以通过使用一焊锡复合材料(solder composite material)，经过一阻焊屏蔽(solder mask)来制造出所要的焊锡凸块图案。芯片封装的功能包含功率散布(power distribution)、讯号散布(signal distribution)、散热(heat dissipation)、保护与支撑等等。当半导体变的更复杂，传统的封装技术，例如导线架封装(lead frame package)、软性封装(flex package)、刚性封装技术(rigid package technique)，已无法满足在一个更小的芯片上制造高密度组件的需求。

上述封装可具有一核芯，其由一常见材料例如玻璃纤维环氧树脂(glass epoxy)所制成，且可具有附加的层堆栈至核芯上。金属或导电层中可透过不同的蚀刻程序例如湿蚀刻建立图样，上述湿蚀刻在本领域为广为人知故此处不进一步叙述。输入、输出功能一般利用多个层之间的金属导线达成。每一导线通过其在封装上的几何关系及位置予以产生。由于制造技术与材料要求，具有堆栈层的封装通常在金属层中包括数个排气孔。排气孔得以允许气体在封装制程期间被蒸发，藉此不会有气泡形成于封装中。导线可安排于排气孔的上方或下方或邻近排气孔或以上的组合。由于上述导线并非位于封装上的同一位置，且会通过金属层中的排气孔所造成的若干个非金属区域，故上述导线会具有阻抗变化或不匹配。这些附加层亦称为「堆栈」层。这些堆栈层一般从介电材料及导电材料的交替层所形成。

伊贝森公开了一种发光二极管封装，标题为「用于封装发光组件之芯片级方法以及经芯片尺寸封装的发光组件」。经封装的发光组件包括具有上表面及下表面的承载基板、从基板上表面延伸到基板下表面的第一和第二导电通孔以及位于基板上表面上且与第一导电通孔电性接触的接合垫。具有第一和第二电极的二极管安装于接合垫上，第一电极与接合垫相电性接触。在二极管上形成有钝化层，以暴露二极管的第二电极。于承载基板的上表面上形成有导电线路，以与第二导电通孔和第二电极电性接触。导电线路在钝化层上并延伸穿过钝化层，以接触第二电极。封装发光组件之方法包括提供包括成长基板和成长基板上的磊晶结构的磊晶圆，将承载基板接合到磊晶圆的磊晶结构，形成通过承载基板的多个导电通孔，在磊晶结构中定义多个隔离的二极管，以及将至少一导电通孔电性连接到多个隔离的二极管中相应的二极管。

然而，上述封装太厚且结构亦过于复杂。

发明内容

本发明的一目的提供一种具有倾斜结构的发光二极管封装。本发明提供具有P型、N型通孔的发光二极管结构，上述P型、N型通孔从上表面形成至下表面，藉此改善效率及缩小组件尺寸。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种发光二极管封装包括基板，具有贯穿该基板的第一导电型通孔及第二导电型通孔；反射层，形成于上述基板的上表面上；发光二极管晶粒，上述发光二极管晶粒具有第一导电型焊垫及第二导电型焊垫，其中上述第一导电型焊垫与上述第一导电型通孔相对准；倾斜结构，其由介电层形成，且形成于邻近上述发光二极管晶粒的至少一侧，用以支撑导电线路；导电线路，形成于上述倾斜结构的上表面上，以在上述第二导电型焊垫与上述第二导电型通孔之间提供路径；以及填充材料，形成于上述第一导电型通孔及上述第二导电型通孔之内。