[发明专利]具有倾斜结构的发光二极管封装无效
申请号: | 201310007014.1 | 申请日: | 2013-01-08 |
公开(公告)号: | CN103208584A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 杨文焜 | 申请(专利权)人: | 金龙国际公司 |
主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60;H01L33/62;H01L33/48 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 王晶 |
地址: | 英属维尔京群岛托投拉*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 倾斜 结构 发光二极管 封装 | ||
1.一种发光二极管封装,其特征在于,包括:
一基板,具有贯穿该基板的第一导电型通孔及第二导电型通孔;
一反射层,形成于基板的上表面上;
一发光二极管晶粒,该发光二极管晶粒具有第一导电型焊垫及第二导电型焊垫,其中该第一导电型焊垫与第一导电型通孔相对准;
一倾斜结构,形成于邻近发光二极管晶粒的至少一侧,用以支撑导电线路;以及
一导电线路,形成于倾斜结构的上表面上,以在第二导电型焊垫与第二导电型通孔之间提供路径。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装,其特征在于,还包括一填充材料,形成于第一导电型通孔及第二导电型通孔之内。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装,其特征在于,还包括一透镜,形成于基板的上表面上,以覆盖发光二极管晶粒,该透镜具有荧光粉材料。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装,其特征在于,还包括一第一导电型终端垫,该第一导电型终端垫在基板下方且耦合至第一导电型焊垫;以及一第二导电型终端垫,该第二导电型终端垫在基板下方且耦合至第二导电型焊垫。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装,其特征在于,发光二极管晶粒包括一PN膜,形成于发光二极管晶粒基板之上。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装,其特征在于,反射层包括有机膜、金属或合金。
7.根据权利要求6所述的发光二极管封装,其特征在于,反射层通过溅镀或电镀银、铝或金而形成。
8.根据权利要求1所述的发光二极管封装,其特征在于,其中基板的材料包括蓝宝石、硅、碳化硅或氮化铝。
9.根据权利要求2所述的发光二极管封装,其特征在于,所述填充材料为铝、钛、铜、镍或银。
10.根据权利要求9所述的发光二极管封装,其特征在于,其中填充材料为铜和镍和金。
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