[发明专利]晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括栅介质层、位于所述栅介质层上的保护层、位于所述保护层上的氧化物层和位于所述氧化物层上的伪栅极；所述栅介质层的材料为含氧材料，所述氧扩散至保护层上表面形成氧化层；

形成伪栅极结构后，形成晶体管的源极和漏极；

形成源极和漏极后，在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层暴露出所述伪栅极结构的上表面；

去除所述伪栅极，在所述层间介质层中形成伪栅沟槽；

形成伪栅沟槽后，去除所述氧化物层及所述氧化层；

去除所述氧化物层、氧化层后，在所述伪栅沟槽中形成栅电极。

2.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述伪栅极结构的形成方法包括：

在所述衬底上由下至上依次形成栅介质材料层、保护材料层、氧化物材料层和伪栅材料层；

图形化所述栅介质材料层、保护材料层、氧化物材料层和伪栅材料层，对应分别形成栅介质层、保护层、氧化物层和伪栅极。

3.如权利要求2所述的晶体管的制作方法，其特征在于，图形化所述栅介质材料层、保护材料层、氧化物材料层和伪栅材料层的方法包括：

在所述伪栅材料层上形成图形化的掩模层，定义伪栅极结构的位置；

以所述图形化的掩模层为掩模，对所述伪栅极材料层进行第一刻蚀，形成伪栅极；

对所述伪栅极侧壁进行氧化，在伪栅极侧壁形成侧壁氧化层；

在伪栅极侧壁形成侧壁氧化层后，以所述图形化的掩模层及侧壁氧化层为掩模，进行第二刻蚀，刻蚀至所述衬底上表面，形成栅介质层和保护层，所述栅介质材料层对应形成栅介质层，所述保护材料层对应形成保护层；

所述第一刻蚀完全刻蚀所述氧化物材料层，形成氧化物层；或者，所述第一刻蚀刻蚀部分厚度的所述氧化物材料层，所述第二刻蚀刻蚀剩余的氧化物材料层，形成氧化物层。

4.如权利要求3所述的晶体管的制作方法，其特征在于，形成侧壁氧化层的方法为：在反应腔内，使所述伪栅极侧壁进行自氧化；或者，在刻蚀反应腔内用氧等离子体轰击所述伪栅极侧壁，对所述伪栅极侧壁进行氧化。

5.如权利要求3所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀、形成所述侧壁氧化层和所述第二刻蚀在同一反应腔内进行。

6.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述伪栅极结构还包括介质层，所述介质层位于所述衬底和所述栅介质层之间。

7.如权利要求6所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述介质层的材料为SiO₂或者SiON。

8.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为高k栅介质材料。

9.如权利要求8所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述高k栅介质材料为HfSiON、HfO₂、HfSiO、HfTaO、HfTiO、HfZrO、Al₂O₃、La₂O₃、ZrO₂、或LaAlO。

10.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述保护层的材料为TaN或TiN。

11.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化物层的材料为SiO₂。

12.如权利要求1或11所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度小于

13.如权利要求2所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化物材料层的形成方法为化学气相沉积或物理气相沉积。

14.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述伪栅极的材料为多晶硅。

15.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，在所述伪栅极结构形成后，形成所述晶体管的源极和漏极之前，在所述伪栅极结构周围形成侧墙，所述侧墙为单层结构或叠层结构，当侧墙为单层结构时，侧墙的材料为氮化硅，当侧墙为叠层结构时，侧墙的最里层为氮化硅。