[发明专利]降压斩波功率单元及列车辅助变流器

权利要求书

1.一种降压斩波功率单元，其特征在于，包括：绝缘栅双极型晶体管、配置板、复合母排及驱动电路板组件；其中，

所述配置板设置在所述绝缘栅双极型晶体管的上方，所述配置板的第一端口与所述绝缘栅双极型晶体管的集电极连接，所述配置板的第二端口与所述绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，所述配置板的第三端口与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接；

所述复合母排设置在所述配置板的上方，所述复合母排的两连接端分别与所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和发射极连接；

所述驱动电路板组件通过支架设置在所述复合母排的上方，所述驱动电路板组件的第一端口通过所述配置板与所述绝缘栅双极型晶体管的集电极连接，所述驱动电路板组件的第二端口通过所述配置板与所述绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，所述驱动电路板组件的第三端口通过所述配置板与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接。

2.根据权利要求1所述的降压斩波功率单元，其特征在于，所述驱动电路板组件包括：设置在电路安装板上的信号转换器和数字可编程驱动器，所述信号转换器和数字可编程驱动器通过光纤连接，所述数字可编程驱动器通过同轴电缆与所述配置板连接。

3.根据权利要求2所述的降压斩波功率单元，其特征在于，所述数字可编程驱动器包括：数字可编程控制处理器、驱动放大模块、两级di/dt保护模块、四级dv/dt保护模块、编程接口模块及电源监控模块；其中，

所述数字可编程控制处理器分别与所述驱动放大模块、两级di/dt保护模块、四级dv/dt保护模块、所述编程接口模块和所述电源监控模块连接；

所述驱动放大模块通过所述配置板与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接；

所述两级di/dt保护模块通过所述配置板与所述绝缘栅双极型晶体管的发射极连接；

所述四级dv/dt保护模块通过所述配置板与所述绝缘栅双极型晶体管的集电极连接。

4.根据权利要求3所述的降压斩波功率单元，其特征在于，所述驱动电路板组件，还包括：状态显示模块，所述状态显示模块与所述数字可编程控制处理器连接。

5.根据权利要求1~4中任一所述的降压斩波功率单元，其特征在于，还包括：滤波电容，所述滤波电容的一端与所述复合母排的第一连接端连接，所述滤波电容的另一端与所述复合母排的第三连接端连接；其中，所述复合母排的第一连接端为复合母排的与所述绝缘栅双极型晶体管集电极连接的一端。

6.根据权利要求1~4中任一所述的降压斩波功率单元，其特征在于，还包括：二极管，所述二极管的阴极与所述复合母排的第二连接端连接，所述二极管的阳极与所述复合母排的第三连接端连接；其中，所述复合母排的第二连接端为复合母排的与所述绝缘栅双极型晶体管发射极连接的一端。

7.根据权利要求1~4中任一所述的降压斩波功率单元，其特征在于，还包括：设置在所述绝缘栅双极型晶体管下方的散热器，所述绝缘栅双极型晶体管通过导热硅脂贴在所述散热器上。

8.根据权利要求1~4中任一所述的降压斩波功率单元，其特征在于，还包括：绝缘底板，所述绝缘底板中心设有通孔，所述通孔轮廓与所述绝缘栅双极型晶体管的外轮廓适配，所述复合母排的连接所述绝缘栅双极型晶体管发射极的一端、所述复合母排的连接所述绝缘栅双极型晶体管集电极的一端以及所述复合母排的负端分别通过接线端子固定在所述绝缘底板上。

9.根据权利要求1~4中任一所述的降压斩波功率单元，其特征在于，还包括：顶板，所述顶板设置在所述驱动电路板组件的上方。

10.一种列车辅助变流器，其特征在于，包括，上述权利要求1~9中任一所述的降压斩波功率单元。