[发明专利]一种射频LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种射频LDMOS器件，具有侧面接触的沟道掺杂区与漂移区；其特征是，在沟道掺杂区与漂移区的侧面接触部位的下方具有与之接触的第一阱，在漂移区远离沟道掺杂区的那一端下方具有与之接触的第二阱；所述第一阱与第二阱的掺杂类型相同，均与沟道掺杂区的掺杂类型相同，而与漂移区的掺杂类型相反。

2.根据权利要求1所述的射频LDMOS器件，其特征是，所述第一阱相隔沟道掺杂区和漂移区，而在所述射频LDMOS器件的栅氧化层的正下方。

3.根据权利要求1所述的射频LDMOS器件，其特征是，所述第二阱相隔漂移区，而在所述射频LDMOS器件的漏区的正下方。

4.根据权利要求1所述的射频LDMOS器件，其特征是，所述第一阱、第二阱的顶部距离硅材料的上表面的距离在0.5μm以上。

5.一种射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，先以光刻和离子注入工艺在漂移区的两端下方形成相互独立的第一阱和第二阱，第一阱和第二阱分别与漂移区的两端的底部相接触；接着在漂移区的一端侧面形成与之接触的沟道掺杂区，所述沟道掺杂区的底部还与第一阱的顶部相接触。

6.根据权利要求5所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，以离子注入工艺在第一导电类型的外延层中形成第二导电类型的漂移区；

第2步，以离子注入工艺在漂移区两端下方分别形成第一阱和第二阱，它们均为第一导电类型；

第3步，以热氧化工艺在硅材料表面生长出第一氧化硅，再淀积多晶硅；接着以光刻和刻蚀工艺在第一氧化硅和多晶硅上形成第一窗口，该第一窗口仅暴露出部分的外延层；接着在第一窗口中注入第一导电类型杂质，从而形成与漂移区的侧面相接触、且与第一阱的顶部相接触的沟道掺杂区；

第4步，将第一氧化硅和多晶硅分别刻蚀为栅氧化层和多晶硅栅极；

第5步，以源漏注入工艺在栅氧化层远离漂移区的那一端外侧形成第二导电类型的源区，在漂移区远离栅氧化层的那一端外侧形成第二导电类型的漏区；

第6步，整个硅片淀积第二氧化硅，采用光刻和刻蚀工艺使其仅残留在多晶硅栅极的上方、以及漂移区的部分表面的上方；

第7步，整个硅片淀积一层金属或多晶硅，对其刻蚀形成栅掩蔽层；栅掩蔽层覆盖在部分或全部的第二氧化硅之上；

第8步，在源区中刻蚀出穿越源区、沟道掺杂区、外延层并抵达到衬底中的孔或沟槽，在该孔或沟槽中填充金属形成下沉结构。

7.根据权利要求6所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法各步骤中去除外延层，将外延层中的结构均改为衬底中。

8.根据权利要求6所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第2步中，所述离子注入工艺是一次或多次，总的注入能量为1×10¹²～1×10¹³原子/平方厘米。

9.根据权利要求6所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第3步中，离子注入具有倾斜角度。