[发明专利]半导体器件封装件及半导体器件封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及半导体器件封装件及半导体器件封装方法。

背景技术

半导体器件被用于各种电子应用中，例如，个人电脑，手机，数码相机。通常在单个半导体晶圆上制造数十或者数百的集成电路(IC)管芯。通过沿分割线锯割集成电路来分成多个单独的管芯。然后，分别封装各单独的管芯，例如以多芯片组件方式，或者以其他类型的封装方式。

半导体产业通过继续减小最小部件尺寸，使得更多的元件被集成至给定的区域内，因而可继续提高各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等等)的集成密度。在一些应用中，这些较小的电子元件也需要较小的封装件，即该较小的封装件利用的面积比过去的封装件的面积小。用于半导体器件的一种类型的较小封装是晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)，其通常包括再分配层(RDL)，用于使用于IC管芯的接触焊盘的布线扇开，以致电接触件可被制作为具有比管芯的接触焊盘的间距大的间距。

这些较小的IC和较小的封装IC管芯通常用于手持设备中，例如移动电话。然而，如果使用了该IC的终端产品被用户掉落，可能发生IC损坏，并因此终端产品也损坏。

因而，本领域需要更坚固的用于半导体器件的小尺寸封装件。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种用于半导体器件的封装件，包括：

衬底；

设置在所述衬底的第一表面上的接触焊盘，所述接触焊盘具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；

连接至所述接触焊盘的第一侧的导电线路；

连接至所述接触焊盘的第二侧的所述导电线路的延伸部；以及

设置在所述衬底的第二表面上的多个接合焊盘。

在可选实施例中，所述接触焊盘位于所述衬底的阵列区的角部中。

在可选实施例中，所述导电线路的延伸部包括所述导电线路的第一延伸部，并且所述接触焊盘进一步包括第三侧以及与所述第三侧相对的第四侧，所述封装件进一步包括：连接至所述接触焊盘的第三侧的所述导电线路的第二延伸部；以及连接至所述接触焊盘的第四侧的所述导电线路的第三延伸部。

在可选实施例中，所述导电线路包括第一导电线路，并且所述接触焊盘进一步包括第三侧和与所述第三侧相对的第四侧，所述封装件进一步包括：连接至所述接触焊盘的第三侧的第二导电线路；以及连接至所述接触焊盘的第四侧的所述第二导电线路的延伸部。

在可选实施例中，所述第二导电线路的延伸部在靠近所述接触焊盘的连接区边界下面完全延伸。

在可选实施例中，所述第二导电线路的延伸部延伸超过所述连接区边界。

在可选实施例中，所述导电线路的延伸部在靠近所述接触焊盘的连接区边界下面完全延伸。

在可选实施例中，所述连接区边界包括设置在所述接触焊盘上方的凸点下金属化层(UBM)结构的一部分的边缘或者可与所述封装件连接的焊点的最宽部分的边缘。

在可选实施例中，所述导电线路的延伸部延伸超过所述连接区边界。

在可选实施例中，所述导电线路的延伸部延伸超过所述连接区边界大约几毫米至几微米或者更少。

在可选实施例中，所述接触焊盘包括第一接触焊盘，其中所述导电线路的延伸部延伸至设置在所述衬底的所述第一表面上的第二接触焊盘。

根据本发明的另一方面，还提供了一种封装的半导体器件，包括：

封装件，所述封装件包括：

衬底；

设置在所述衬底的顶面上的接触焊盘，所述接触焊盘具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；

连接至所述接触焊盘的第一侧的导电线路；

连接至所述接触焊盘的第二侧的所述导电线路的延伸部；和

设置在所述衬底的底面上的多个接合焊盘；以及

集成电路管芯，连接至位于所述封装件的所述衬底的顶面上的所述接触焊盘。

在可选实施例中，所述封装的半导体器件进一步包括多个所述接触焊盘，其中，在所述衬底上的多个接触焊盘的阵列区的每个角部中设置有所述多个接触焊盘中的一个，并且所述集成电路管芯连接至所述多个接触焊盘中的每一个。

在可选实施例中，所述封装的半导体器件进一步包括设置在所述衬底上的多个接触焊盘的阵列区的角区域中的多个所述接触焊盘，并且所述集成电路管芯连接至在所述衬底上的所述多个接触焊盘的阵列区的角区域中的多个接触焊盘中的每一个。