[发明专利]一种大芯片曝光方法及芯片有效
| 申请号： | 201310002337.1 | 申请日： | 2013-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103913954A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 彭超群;戴新华;方表峰;马玉玲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 曝光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大芯片曝光方法，其特征在于，通过曝光机台曝光一由至少两块光罩组成的大芯片时，该方法包括：
在每块光罩的空余区域中确定设置对位标记的第一位置；
通过第一方法在所述第一位置形成晶片曝光对位标记；
在光刻涂胶层光刻胶的晶片上曝光所述晶片曝光对位标记，通过显影成像，每个曝光场都定义出对位标记图形，根据定义好的晶片曝光对位标记，曝光机台自动对准系统定义所述至少两块光罩的图形曝光，使所述至少两块光罩衔接形成大芯片。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对位标记的长宽分别为0.5mm和0.5mm。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一方法为长膜、光刻，则所述晶片曝光对位标记为光刻胶定义的对位标记。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述晶片曝光对位标记周围设计为Dark区域。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶片曝光对位标记设置于所述光罩的两侧空余区域的任一侧。
6.一种大芯片，其特征在于，通过权利要求1-5任一所述的方法生成。
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