[发明专利]模塑插入层封装及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种插入层封装(interposer package)及其制造方法，特别是有关于一种模塑插入层封装(molded interposer package)及其制造方法。

背景技术

插入层为电接口，其在连接座之间绕线或将一个连接座连接至另一个连接座。插入层的目的是加宽芯片的凸块到连线的间距，或将连线重新绕线。现有技术中的插入层工艺首先提供利用堆迭双马来酰亚胺-三氮杂苯树脂(bismaleimide triacine,BT)形成的树脂基核心基板(resin-based core substrate)。接着，依序进行穿孔刻蚀(through via etching)工艺、绝缘物氧化(insulation oxidation)工艺、金属填充(metal filling)工艺、多层接线(multilayer wiring)工艺、防焊层(solder mask)工艺、微凸块(micro bumping)工艺、芯片安装(chip mounting)工艺和模套(mold cap)工艺。值得注意的是，现有技术中的核心基板和穿孔为复合结构。现有技术中的多层接线工艺和防焊层工艺需要在核心基板的两侧上形成互连结构和防焊层。为了增加封装刚性，现有技术中需要模套(mold cap)工艺。因此，由于前述的复杂工艺，现有技术中的插入层的工艺成本高。另外，现有技术中的树脂基核心基板因为其机械强度不佳，所以仅能制作成小尺寸。前述的缺点会限制插入层技术的发展。并且，现有技术中的插入层遭受许多设计挑战。举例来说，现有技术中插入层难以对核心基板和输入/输出(I/O)提供适当的电源传输网络，且上述电源传输网络包括对较宽的电源线(wider power traces)、专用的电源层(dedicated power planes)、专用的电源岛状物(dedicated power islands)和直接贴附在板上的去耦合电容(on-board decoupling capacitors)的选择。并且，现有技术中插入层难以对并排(side-by-side)、层叠封装(package-on-package,POP)、与层叠封装并排(side-by-POP)的动态随机存储器总线(DRAM memory bus)提供配置选择，而且难以改善穿过基板和焊球的导热。并且，现有技术中插入层难以对芯片上散热器(chip-on heat spreader)提供选择。再者，现有技术中插入层难以维持现今电路板(printed circuit boar,PCB)客户的电路密度的限制。此外，现有技术中插入层难以对多重芯片(multi-die)和混合接线(hybrid wire bonding)提供配置选择。

因此，在此技术领域中，提出一种新的插入层封装结构。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种模塑插入层封装及其制造方法。

依据本发明第一实施方式，提供一种模塑插入层封装，包括多个金属块；模塑料，包裹该多个金属块，使该多个金属块的多个底面暴露出来；第一芯片，设置于该模塑料上，并连接至该多个金属块的多个顶面；多个焊球，连接且接触该多个金属块的该多个底面。

依据本发明第二实施方式，提供一种模塑插入层封装的制造方法，包括提供金属片，其具有顶面和底面；进行第一各向异性刻蚀工艺，以从该金属片的该顶面移除一部分该金属片，因而在该金属片中形成多个第一凹陷；将载板安装在该金属片的该顶面，覆盖该多个第一凹陷；进行第二各向异性刻蚀工艺，以从该金属片的该底面移除位于该多个第一凹陷下的一部分该金属片，因而在该金属片中形成多个第二凹陷，其中该多个第一凹陷和该多个第二凹陷分别彼此互连；从该金属片的该底面填入模塑料至该多个第一凹陷和该多个第二凹陷，并使该金属片的该底面暴露出来；移除该载板；在该金属片的该顶面上形成保护层，该保护层具有穿过该保护层的多个开口；形成穿过该多个开口的多个第金属通孔；在该保护层上形成防焊层，并使该多个第一金属通孔暴露出来。