[其他]复合电子元器件有效
申请号: | 201290000894.9 | 申请日: | 2012-10-10 |
公开(公告)号: | CN203895212U | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 野间隆嗣;池田哲也 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F27/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 电子元器件 | ||
1.一种复合电子元器件,其特征在于,包括:
烧结体,该烧结体通过对多个铁氧体层进行层叠,并进行一体烧成而形成;
线圈布线,该线圈布线配置在所述烧结体内;
电压非线性构件,该电压非线性构件内置于所述烧结体内,位于所述烧结体内不同于所述线圈布线的高度位置上;
第一、第二内部电极,该第一、第二内部电极夹着所述电压非线性构件彼此相对;以及
第一~第三外部电极,该第一~第三外部电极形成在所述烧结体的外表面上,
所述第一外部电极与所述线圈布线的一端进行电连接,所述第二外部电极与所述线圈布线的另一端进行电连接,所述第三外部电极与所述第二内部电极进行电连接,所述第一或第二外部电极与所述第一内部电极进行电连接,在配置有所述线圈布线的部分,由所述铁氧体层的一部分和线圈布线来构成磁性电路形成部,在配置有所述铁氧体层的剩余部分和所述电压非线性构件及第一、第二内部电极的部分,构成有静电保护部。
2.如权利要求1所述的复合电子元器件,其特征在于,
构成所述磁性电路形成部的铁氧体层由磁导率相对较高的铁氧体层形成,构成所述静电保护部的电路部的所述铁氧体层由磁导率相对较低的铁氧体层形成。
3.如权利要求2所述的复合电子元器件,其特征在于,
所述磁导率相对较高的铁氧体层是磁性体铁氧体层,所述磁导率相对较低的铁氧体层是非磁性体铁氧体层。
4.如权利要求2或3所述的复合电子元器件,其特征在于,
所述磁导率相对较高的铁氧体层及所述磁导率相对较低的铁氧体层由相同组成类别的铁氧体材料形成。
5.如权利要求1至3的任一项所述的复合电子元器件,其特征在于,
所述第一内部电极与所述第二内部电极配置为隔着所述电压非线性构件相重叠。
6.如权利要求1至3的任一项所述的复合电子元器件,其特征在于,
所述第一内部电极与所述第二内部电极在所述烧结体内的某一高度位置上隔 开间隙而相对。
7.如权利要求1至3的任一项所述的复合电子元器件,其特征在于,
作为所述线圈布线,具有用于构成共模扼流圈的第一及第二线圈布线。
8.如权利要求2或3所述的复合电子元器件,其特征在于,
所述电压非线性构件配置在所述磁导率相对较高的铁氧体层与所述磁导率相对较低的铁氧体层之间的界面上。
9.如权利要求2或3所述的复合电子元器件,其特征在于,
所述电压非线性构件内置在所述磁导率相对较低的铁氧体层内。
10.如权利要求1至3的任一项所述的复合电子元器件,其特征在于,
所述第一~第三外部电极形成在所述烧结体的上表面、侧面、或下表面,与所述第一~第三外部电极进行电连接的多个过孔导体设置在所述烧结体内。
11.如权利要求1至3的任一项所述的复合电子元器件,其特征在于,
所述线圈布线及第一、第二内部电极被引出至所述烧结体的外表面,在引出至烧结体的外表面的部分,所述第一~第三外部电极与所述线圈布线及所述第一、第二内部电极进行电连接。
12.如权利要求2所述的复合电子元器件,其特征在于,
所述复合电子元器件的下表面搭载在基板上,
所述复合电子元器件的所述静电保护部仅配置在比所述线圈布线要靠近所述下表面侧。
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