[发明专利]质量分析装置和质量校正方法

说明书

技术领域

本发明涉及能够进行MSⁿ(此处n是2以上的整数)分析的质量分析装置，以及该质量分析装置的质量校正方法。

背景技术

质量分析装置虽然能够测定源自化合物的离子的质荷比m/z，但是该质荷比的值会因各种因素变动。该质荷比的值的变动幅度就是该装置的质量精度。为了提升质量精度，在质量分析装置中会进行质量校正，该质量校正利用了对质荷比的理论值(或是极正确的测定值)是已知的化合物的测定结果。

例如在专利文献1等记载的装置中，通过测定包含了质荷比的理论值是已知的规定化合物的标准试料，比较此时的质荷比的实测值和上述理论值而求出该质荷比的质量偏差。而且，在相对于多种化合物的不同质荷比分别获得质量偏差，并由此制作表示质荷比和质量偏差之间的关系的校正曲线。基于如此制作的校正曲线，校正在测定目标试料中的任意化合物时所获得的质荷比的实测值。根据这种质量校正，能够以高精度求出作为目标的化合物的质荷比。

在上述质量校正法中，由于标准试料的测定和目标试料的测定是分别进行，因此无法消除因两个测定时的测定条件或周围环境的差异等而引起的质量偏差。因此，也进行根据内部标准法的质量校正，该内部标准法即是：在测定目标试料而获得的质谱图中存在源自质荷比的理论值是已知的化合物的峰(Peak)的情况下，根据该峰的质荷比的实测值和理论值而求出质量偏差，并基于该质量偏差修正该质谱图中的其他峰的质荷比。在该质量校正法中，由于是基于同时刻实施的测定结果而进行质量校正，因此能够进行更加高精度的质量校正。

然而，只有在所获得的质谱图中存在源自已知化合物的峰、并能检测出该峰的情况下，才能进行根据上述的内部标准法的质量校正。

在由离子阱飞行时间型质量分析装置或串联四级杆型质量分析装置等获得的MSⁿ质谱图中，在大多数情况下，会观测到基于质荷比而选择的单一化合物解离而生成的各种子离子(Product ion)，那些子离子以外的、正确的质荷比是已知的化合物的离子峰并不存在。因此无法进行根据上述的内部标准法的质量校正。因此，以往一般是使用在对相同试料不进行解离操作而获得的MS¹质谱图(质谱图)中进行基于内部标准法的质量校正时求出的质量偏差值或质量校正表，简便地进行MSⁿ质谱图中的各峰的质量校正(参照专利文献2等)。因此，无法避免MSⁿ质谱图的质量精度比MS¹质谱图的质量精度差。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2005-292093号公报

专利文献2：美国专利第7071463号说明书

发明内容

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种通过提升MSⁿ质谱图的质量校正的精度，能够获得质量精度比以往高的MSⁿ质谱图的质量分析装置和质量校正方法。

为了解决上述问题而完成的本发明所涉及的质量分析装置的第1方式如下：其是一种能够进行MSⁿ(此处n是2以上的整数)分析的质量分析装置，该质量分析装置具备：离子解离部，其使源自试料中的化合物的离子解离；质量分析部，其对由该解离操作而生成的离子进行质量分析，

该质量分析装置具备：

a)分析控制部，其使所述离子解离部工作，以便进行以在不对离子进行解离操作而获得的MS¹质谱图中被观测到的具有已知质荷比的峰留在MSⁿ质谱图中的方式调整了解离条件的解离操作；

b)质谱图制作部，其基于在所述分析控制部的控制下实施由所述离子解离部的解离操作时所获得的质谱数据，制作MSⁿ质谱图；以及

c)质量校正部，其在由所述质谱图制作部制作的MSⁿ质谱图中，检测出具有所述已知的质荷比的峰，并利用该峰的质荷比的实测值和已知的质荷比的值之间的差，校正所述MSⁿ质谱图中的各峰的质荷比。

此外，为了解决上述问题而完成的本发明所涉及的质量校正方法的第1方式如下：其是一种使源自试料中的化合物的离子解离，并对由该解离操作而生成的离子进行质量分析的且能够进行MSⁿ(此处n是2以上的整数)分析的质量分析装置的质量校正方法，

该质量校正方法包括：