[发明专利]低辐射透明层叠体及包含其的建筑材料

权利要求书

1.一种低辐射透明层叠体，其特征在于，

包括基材及涂敷层；

所述涂敷层是从所述基材起的依次包括低辐射层、低辐射保护金属层、硅氮化物层及电介质层的多层结构。

2.根据权利要求1所述的低辐射透明层叠体，其特征在于，所述低辐射层的辐射率为0.01至0.3。

3.根据权利要求1所述的低辐射透明层叠体，其特征在于，所述低辐射层包含选自银、金、铜、铝、铂、离子掺杂金属氧化物及它们的组合中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的低辐射透明层叠体，其特征在于，所述低辐射层的厚度为10nm至25nm。

5.根据权利要求1所述的低辐射透明层叠体，其特征在于，所述低辐射保护金属层的可见光范围的消光系数为1.5至3.5。

6.根据权利要求1所述的低辐射透明层叠体，其特征在于，所述吸光金属层包含选自镍、铬、镍与铬的合金、钛及它们的组合中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的低辐射敷膜，其特征在于，所述低辐射保护金属层的厚度为1nm至5nm。

8.根据权利要求1所述的低辐射透明层叠体，其特征在于，所述硅氮化物层包含SiN_x(其中，1≤x≤1.5)或者(Si_1-yM_y)N_z(其中，M是选自铝、钛、钴及它们的组合中的一种，0.01≤y≤0.2，1≤z≤1.5)。

9.根据权利要求1所述的低辐射透明层叠体，其特征在于，所述硅氮化物层的厚度为5nm至20nm。

10.根据权利要求1所述的低辐射透明层叠体，其特征在于，所述电介质层包含选自金属氧化物、金属氮化物及它们的组合组成的组中的至少一种组分，或者在所述至少一种组分中掺杂有选自铋、硼、铝、硅、镁、锑、铍及它们的组合中的至少一种元素。

11.根据权利要求1所述的低辐射透明层叠体，其特征在于，所述电介质层包含选自钛氧化物、锡锌氧化物、锌氧化物、锌铝氧化物、锡氧化物、铋氧化物、硅氮化物、硅铝氮化物及它们的组合中的至少一种。

12.根据权利要求1所述的低辐射透明层叠体，其特征在于，所述电介质层的厚度为5nm至60nm。

13.根据权利要求1所述的低辐射透明层叠体，其特征在于，所述基材是具有90％至100％的可见光透射率的透明基材。

14.根据权利要求1所述的低辐射透明层叠体，其特征在于，所述基材是玻璃或透明塑料基板。

15.根据权利要求1所述的低辐射透明层叠体，其特征在于，

所述涂敷层是在所述低辐射层的双面依次层压低辐射保护金属层及电介质层的对称的结构；

所述硅氮化物层介于所述低辐射保护金属层及所述电介质层的至少一个层之间。

16.根据权利要求1所述的低辐射透明层叠体，其特征在于，所述涂敷层在最外廓的双面还包括至少一个硅氮化物层。

17.一种建筑材料，其特征在于，包括根据权利要求书1至16中的任一项所述的低辐射透明层叠体。