[发明专利]具有改进的写余量的存储器单元

权利要求书

1.一种用于改进存储器单元的写余量的装置，所述装置包括：

第一电路，所述第一电路提供具有宽度的脉冲信号；以及

第二电路，所述第二电路接收所述脉冲信号并为所述存储器单元产生电源，其中，所述第二电路在与所述脉冲信号的所述宽度相对应的时间段中将所述电源的电平减小到所述存储器单元的数据保持电压电平以下。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二电路包括用于接收所述脉冲信号作为输入的反相器，其中，所述反相器具有用以为所述存储器单元提供所述电源的输出。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二电路用于在所述存储器单元的写操作期间减小所述存储器单元的所述电源的电平。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二电路用于在所述存储器单元的读操作或空闲状态期间向所述存储器单元提供所述电源。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电路用于调整所述脉冲信号的所述宽度。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一电路用于通过以下的至少其中之一来调整所述脉冲信号的所述宽度：

熔丝；或

软件指令。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电路包括脉冲发生器，所述脉冲发生器具有可变延迟以提供可调脉冲宽度。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述存储器单元是6T SRAM单元。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二电路用于将所述电源电平减小到地与所述数据保持电压之间。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二电路用于将所述电源电平减小到地。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二电路用于在所述脉冲宽度结束后向所述存储器单元提供正常电源。

12.一种装置，包括：

电荷共享电路，所述电荷共享电路耦合到存储器单元的电源节点，所述电荷共享电路用于减小直流(DC)功耗；以及

脉冲发生器，所述脉冲发生器产生脉冲信号以启用或禁用所述电荷共享电路。

13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述电源节点包括高电源节点和低电源节点。

14.根据权利要求13所述的装置，进一步包括：

第一功率门，所述第一功率门向所述高电源节点提供高电源；以及

第二功率门，所述第二功率门向所述低电源节点提供低电源，所述低电源低于所述高电源。

15.根据权利要求14所述的装置，其中，所述第一功率门和所述第二功率门用于在读操作期间被启用。

16.根据权利要求14所述的装置，其中，所述第一功率门和所述第二功率门用于在写操作期间被禁用。

17.根据权利要求13所述的装置，其中，所述电荷共享电路用于同时减小所述高电源节点的电源并提升所述低电源节点的电压电源，其中，将所述电压电源提升到地以上。

18.根据权利要求12所述的装置，其中，所述存储器单元是6T SRAM单元。

19.根据权利要求12所述的装置，其中，所述电荷共享电路包括：

p型晶体管，所述p型晶体管具有用于接收所述脉冲信号的栅极端子，其中，所述p型晶体管的漏极端子和源极端子耦合到所述存储器单元的电源节点。

20.根据权利要求12所述的装置，其中，所述电荷共享电路包括：

第一n型晶体管，所述第一n型晶体管接收另一个脉冲信号；以及

第二n型晶体管，所述第二n型晶体管与所述第一n型晶体管串联耦合，其中，所述第一n型晶体管和所述第二n型晶体管具有与所述存储器单元的所述电源节点耦合的端子。

21.根据权利要求20所述的装置，其中，所述第二n型晶体管是连接成二极管的晶体管。

22.根据权利要求20所述的装置，其中，所述脉冲发生器用于产生另一个脉冲信号。

23.根据权利要求20所述的装置，其中，所述脉冲发生器用于调整所述脉冲信号和另一个脉冲信号的脉冲宽度。