[发明专利]具有增大的芯片岛状物的衬底

权利要求书

1.一种用于安装多个半导体芯片(31)的带式载体衬底(1、21、51)，其包括通过凹部(7、9)构造的至少一个导电层，其中所述凹部(7、9)在所述载体衬底(1、21、51)中形成多个均一单元(2)，并且每个单元(2)包括通过所述凹部(7、9)预构造的用于安装至少一个半导体芯片(31)的接收区(3)、剩余区域(8)以及用于接触所述半导体芯片(31)的两个电极(4)，其中所述接收区(3)布置在同一单元(2)的所述电极(4)之间并且所述载体衬底(1、21、51)由所述单元(2)的棋盘形布置形成，其特征在于

所述接收区(3)、所述剩余区域(8)以及所述电极(4)通过连结板(10、11、12)互连，所述连结板(10、11、12)如此窄以至于借助于使用小型冲压工具冲压出的所述连结板(10、11、12)，所述接收区(3)可以与所述电极(4)电绝缘，并且所述单元(2)的所述电极(4)和接收区(3)可以与所述剩余区域(8)分离，并且将所述电极(4)连接到所述剩余区域(8)的至少两个连结板(10)布置在所述单元(2)的所述拐角区域中。

2.根据权利要求1所述的载体衬底(1、21、51)，其特征在于，所述单元(2)是矩形的，并且优选地四个连结板(10)布置在所述单元(2)的所有拐角的所述区域中。

3.根据权利要求1或2所述的载体衬底(1、21、51)，其特征在于，

最靠近的相邻单元(2)具有共用的边沿以及两个共用的拐角，其中所述最靠近的相邻单元(2)仅是所述载体衬底(1、21、51)的区域中中心最靠近彼此布置的所述最靠近的邻接单元。

4.根据前述权利要求之一所述的载体衬底(1、21、51)，其特征在于，

隔一个的相邻单元(2)具有共用的拐角，其中所述隔一个的相邻单元(2)仅是所述载体衬底(1、21、51)的区域中中心第二最靠近彼此布置的所述隔一个的邻接单元。

5.根据前述权利要求之一所述的载体衬底(1、2、51)，其特征在于，

每个电极(4)包括外接触区(5)以及接合连接区(6)，所述外接触区(5)以及接合连接区(6)在多个区域中通过锚定狭缝(7)的形式的凹部(7)彼此分离用于锚定模制化合物(32)。

6.根据前述权利要求之一所述的载体衬底(1、21、51)，其特征在于，

在使所述接收区(3)与所述电极(4)分离的所述锚定狭缝(7)与所述凹部(9)之间的所述电极(4)压印在所述载体衬底(1、21、51)的一侧上，优选地在所述载体衬底(1、21、51)的并非为了接收半导体芯片(31)而提供的下侧上，其方式为使得至少在多个区域中的所述电极(4)在不同情况下在至少一个锚定狭缝(7)与所述凹部(9)之间具有至少一个连续的凸起部分(52)，并且所述载体衬底(1、21、51)在所述凸起部分(52)处具有较小的厚度，具体来说在所述凸起部分(52)的所述边沿区域处不产生突出超过所述载体衬底(1、21、51)其余部分的所述边界的突出部分。

7.根据前述权利要求之一所述的载体衬底(1、21、51)，其特征在于，

在所述接收区(3)与所述电极(4)之间的所述凹部(9)和/或在所述接收区(3)与所述剩余区域(8)之间的所述凹部(9)各自包括至少一个突起狭缝(26)，所述突起狭缝(26)优选地在不同情况下与至少一个连结板(11)相邻，尤其优选地在每个连结板(11)的任一侧上，其中所述突起狭缝(26)延伸至所述接收区(3)中。

8.根据前述权利要求之一所述的载体衬底(1、21、51)，其特征在于，

在所述电极(4)与所述接收区(3)和/或所述剩余区域(8)之间的所述凹部(9)包括延伸至所述电极(4)中、优选地延伸至所述接合连接区(6)中的突起狭缝(27、28)。

9.根据前述权利要求之一所述的载体衬底(1、21、51)，其特征在于，

所述导电层是金属膜，优选地由铜或铜合金构成，尤其优选地由铜锡合金构成。

10.根据前述权利要求之一所述的载体衬底(1、21、51)，其特征在于，

电绝缘层被层压到所述导电层上，其中所述电绝缘层优选地是塑料膜，尤其优选地由PET、PI和/或环氧树脂构成，且/或所述导电层涂布有导电薄膜，所述导电薄膜由贵金属构成，优选地由金或金合金构成。