[发明专利]非易失性存储器装置及对此装置编程的方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

电荷泵，用于提供编程电流；

非易失性存储器单元的阵列，其中每一存储器单元以所述编程电流编程；所述非易失性存储器单元的阵列被划分为多个单位，其中每一单位包括多个存储器单元；

指示器存储器单元，其与每一单位的非易失性存储器单元关联；

计数器电路，用于对被编程的每个单位的存储器单元的数量进行计数，所述计数器电路包含包括时钟脉冲发生器的数字'0'比特检测器，所述'0'比特检测器被配置为顺序检验关于'0'比特的被编程比特；以及

编程电路，用于当每一单位的某一比例或更少的所述存储器单元将被编程时，使用所述编程电流对每一单位的所述存储器单元进行编程，并且用于当多于每一单位的所述某一比例的存储器单元将被编程时，使用所述编程电流对每一单位的所述存储器单元的逆以及与每一单位关联的所述指示器存储器单元进行编程。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：

多个读出放大器，一个读出放大器连接至某一单位的各个非易失性存储器单元用于感测所述非易失性存储器单元的状态；

指示器读出放大器，其连接至所述指示器存储器单元用于感测与被感测的所述单位关联的所示指示器存储器单元的状态；

逻辑电路，用于在所述指示器读出放大器感测到所述指示器存储器单元的状态处于一个状态的情况下输出所述多个读出放大器的状态；以及用于在所述指示器读出放大器感测到所述指示器存储器单元的状态处于另一状态的情况下输出所述多个读出放大器的反状态。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述非易失性存储器单元的阵列成多行多列布置，其中指示器存储器单元的阵列在行方向上与所述非易失性存储器单元的阵列相邻设置，其中一个指示器存储器单元与相同行上的多个存储器单元关联。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述非易失性存储器单元的阵列成多行多列布置，其中指示器存储器单元的阵列在列方向上与所述非易失性存储器单元的阵列相邻设置，其中一个指示器存储器单元与相同列上的多个存储器单元关联。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器单元的每个包括：

第一导电类型的半导体衬底，其具有平坦表面；

在所述平坦表面上的第二导电类型的第一区域；

在所述平坦表面上的所述第二导电类型的第二区域，其与所述第一区域间隔开，其中沟道区域位于所述第一区域与所述第二区域之间；

浮栅，与所述沟道区域的第一部分间隔开；

字线，在所述浮栅一侧与其相邻，与所述浮栅绝缘，并且与所述沟道区域的第二部分间隔开；

擦除栅，在所述浮栅另一侧与其相邻，与所述浮栅绝缘，并且与所述第二区域间隔开；以及

耦合栅，位于所述浮栅之上，与所述浮栅间隔开，并且位于字线和所述擦除栅之间并且与其绝缘。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述某一比例为百分之五十。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括数字式‘0’位检测器。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述数字式‘0’位检测器包括时钟脉冲发生器并且基于计时的顺序数字式‘0’位检测。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括模拟‘0’位检测器。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述模拟‘0’位检测器基于电流偏置的单位进行检测。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述电流偏置为微安级。

12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器阵列还包括多个存储器子阵列。

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中没有用于编程的存储器单元的每一子阵列使编程偏置被禁能。