[发明专利]减小3DNAND非易失性存储器中的弱擦除型读取干扰

权利要求书

1.一种用于在包括多个层级的存储器单元的3D堆叠式非易失性存储器装置中进行读取操作的方法，所述读取操作针对处于所述多个层级中的选中的层级中的选中的存储器单元来进行，所述方法包括：

针对处于所述多个层级中的未选中的层级中的存储器单元，将通过电压从初始电平增大到至少第一升高电平，所述多个层级的存储器单元中的所述存储器单元布置在至少一个选中的存储器单元串和至少一个未选中的存储器单元串中，所述至少一个选中的存储器单元串包括所述选中的存储器单元中的至少一个选中的存储器单元并且包括具有相关联的第一选择栅极的漏极端和具有相关联的第二选择栅极的源极端，并且，所述至少一个未选中的存储器单元串不包括所述选中的存储器单元中的任何选中的存储器单元并且包括具有相关联的第三选择栅极的漏极端和具有相关联的第四选择栅极的源极端；

在所述增大期间，将所述第一选择栅极设置为处于导电状态；

当将所述第一选择栅极设置为处于所述导电状态时，使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的至少一个选择栅极在不导电状态与所述导电状态之间转变；以及

将控制栅极读取电压施加给所述选中的存储器单元，并且感测所述选中的存储器单元中的所述至少一个选中的存储器单元的阈值电压是否高于所述控制栅极读取电压，其中，

所述使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极在所述不导电状态与所述导电状态之间转变包括：使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极从所述不导电状态转变为所述导电状态；

所述方法还包括：当将所述第一选择栅极设置为处于所述导电状态时，使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极从所述导电状态转变回所述不导电状态；

所述使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极从所述不导电状态转变为所述导电状态包括：增大所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极的电压；并且，所述使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极从所述导电状态转变回所述不导电状态包括：减小所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极的所述电压；并且

所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极的所述电压具有尖峰形，使得所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极的所述电压在被增大之后和在被减小之前不达到稳定状态电平。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述增大期间，将下述电压施加给所述选中的层级，所述电压足够高以使所述选中的存储器单元处于所述导电状态。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

所述转变包括使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极二者在所述不导电状态与所述导电状态之间转变。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的所述至少一个选择栅极从所述导电状态转变回所述不导电状态之后，将所述通过电压从所述至少第一升高电平增大到第二升高电平。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

当将所述第一选择栅极设置为处于所述导电状态时，经由公共位线将非零电压施加给所述至少一个选中的存储器单元串的所述漏极端和所述至少一个未选中的存储器单元串的所述漏极端。