[发明专利]堆叠型半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种堆叠型半导体封装，其包括第一半导体芯片结构体和第二半导体芯片结构体，

所述第一半导体芯片结构体包括：第一半导体芯片；第一成型层，包围所述第一半导体芯片；及第一贯通电极，贯通所述第一成型层，与所述第一半导体芯片电连接，

所述第二半导体芯片结构体相对于所述第一半导体芯片结构体垂直堆叠，并包括：第二半导体芯片；及第二贯通电极，与所述第一贯通电极电连接，

其中，所述第一半导体芯片结构体和所述第二半导体芯片结构体具有相同大小。

2.根据权利要求1所述的堆叠型半导体封装，其特征在于，所述第一成型层的至少一侧大小与所述第二半导体芯片结构体的至少一侧的大小相同。

3.根据权利要求1所述的堆叠型半导体封装，其特征在于，所述第一半导体芯片的一侧大小与所述第二半导体芯片的一侧的大小相同。

4.根据权利要求1所述的堆叠型半导体封装，其特征在于，所述第一半导体芯片结构体以位于所述第二半导体芯片结构体上侧的方式堆叠。

5.根据权利要求1所述的堆叠型半导体封装，其特征在于，所述第二半导体芯片结构体以位于所述第一半导体芯片结构体上侧的方式堆叠。

6.根据权利要求1所述的堆叠型半导体封装，其特征在于，所述第一半导体芯片的活性面面对所述第二半导体芯片地设置。

7.根据权利要求1所述的堆叠型半导体封装，其特征在于，所述第一半导体芯片的活性面与所述第二半导体芯片相对地设置。

8.根据权利要求1所述的堆叠型半导体封装，其特征在于，所述第一贯通电极和所述第二贯通电极位于同一位置。

9.根据权利要求1所述的堆叠型半导体封装，其特征在于，所述第一半导体芯片包括第一芯片衬垫，

所述第一半导体芯片结构体进一步包括重新布线图案，所述重新布线图案将所述第一半导体芯片的所述第一芯片衬垫和所述第一贯通电极电连接，形成于所述第一成型层上。

10.根据权利要求1所述的堆叠型半导体封装，其特征在于，所述第二半导体芯片结构体进一步包括包围所述第二半导体芯片的第二成型层。

11.根据权利要求1所述的堆叠型半导体封装，其特征在于，进一步包括第三半导体芯片结构体，所述第三半导体芯片结构体相对于所述第一半导体芯片结构体或所述第二半导体芯片结构体垂直堆叠，

所述第三半导体芯片结构体与所述第一半导体芯片结构体及所述第二半导体芯片结构体中的至少一个具有相同的大小。

12.根据权利要求11所述的堆叠型半导体封装，其特征在于，所述第三半导体芯片结构体包括：第三半导体芯片；第三成型层，包围所述第三半导体芯片；及第三贯通电极，贯通所述第三成型层。

13.根据权利要求12所述的堆叠型半导体封装，其特征在于，所述第三半导体芯片与所述第一半导体芯片及所述第二半导体芯片中的至少一个具有不同的大小。

14.一种堆叠型半导体封装的制造方法，其包括：

形成包围第一半导体芯片的第一成型层的步骤；

形成贯通所述第一成型层的第一贯通电极的步骤；

在所述第一成型层上形成将所述第一贯通电极和所述第一芯片衬垫电连接的重新布线图案，从而形成第一半导体芯片结构体的步骤；

在所述第一半导体芯片结构体上堆叠具有第二半导体芯片和第二贯通电极的第二半导体芯片结构体的步骤；以及

将所述第一半导体芯片结构体的所述第一贯通电极和所述第二半导体芯片结构体的所述第二贯通电极电连接的步骤，

其中，所述第一半导体芯片结构体和所述第二半导体芯片结构体具有相同的大小。