[发明专利]含硅薄膜的制造方法和光电转换装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及含硅薄膜的制造方法和光电转换装置的制造方法。

背景技术

作为薄膜太阳能电池等所使用的硅膜的形成方法，通常使用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition(以下记为“CVD”))法。在利用CVD法使硅膜成长时，在基板表面上等附着有某些杂质。在附着有杂质的面上使膜成长时，所成长的膜有可能发生剥落。因此，提出了在向成膜工序移动前除去附着在基板表面上等的杂质的方法。

例如，在专利文献1(特开2001－53309号公报)等中，提出了在利用纯水洗净基板表面之后进行成膜工序的方法。另外，有时在利用酒精等有机溶剂洗净基板表面之后进行成膜工序。

在专利文献2(特开平2－190472号公报)或者专利文献3(特开平11－111698号公报)等中，提出了在进行完处理槽内的气体清洗之后，利用还原性气体对处理槽内进行批次净化之后进行基板处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2001－53309号公报

专利文献2：(日本)特开平2－190472号公报

专利文献3：(日本)特开平11－111698号公报

发明内容

发明要解决的课题

即便利用纯水来洗净基板表面，也难以将有机化合物从基板表面除去。另外，即便利用酒精等有机溶剂来洗净基板表面，由于一部分酒精等残留在基板表面，因此可能会在基板表面残留碳。因此，无论利用纯水来洗净基板表面，还是利用酒精等有机溶剂来洗净基板表面，都有可能使在基板表面成长的膜剥落。

另外，在专利文献2或3中所提出的方法中，着眼于从气体清洗后的室中排出含有氟的残渣，目的在于通过使含氢化合物气体在制膜室内流动而将利用氟化物类气体进行清洗后的污染物从制膜室除去。但是，由于专利文献2或3所提出的方法无助于基板的洗净，因此利用该方法可能会使在基板表面成长的膜剥落。

本发明鉴于上述问题，其目的在于提供一种不会发生膜剥落(“膜剥落”是指在基板表面上成长的膜剥落)地在基板上制造含硅薄膜的方法。

用于解决课题的手段

本发明的含硅薄膜的制造方法是在室内基板上形成含硅薄膜的方法，具有：利用含氟气体干洗室内的第一工序、将基板搬入室内的第二工序、在使基板设置在室内的状态下利用硅烷类气体净化室内的第三工序、在第三工序之后在基板上形成含硅薄膜的第四工序。

优选在第三工序与第四工序之间具有利用与硅烷类气体不同的气体来净化室内的工序。

优选在第一工序与第二工序之间具有利用硅烷类气体净化室的工序，以使得在室的极限真空度为A(Pa)时，室内的CF₄分压在比A×(1.0×10^-5)Pa大且比A×(5.0×10^-4)Pa小的范围内。

在第三工序中，基板中的形成含硅薄膜的面的碳原子浓度为60atom％以下。

优选第三工序在基板温度为20℃以上200℃以下进行。

本发明的光电转换装置的制造方法包括本发明的含硅薄膜的制造方法。

发明效果

在本发明的含硅薄膜的制造方法中，能够不产生膜剥落地在基板上制造含硅薄膜。

附图说明

图1是表示SiH₄气体的供给时间与CF₄气体的分压和太阳能电池的最大输出Pmax关系的曲线图。

图2是示意表示实施例1和比较例1～2所使用的CVD装置的剖视图。

图3是实施例1的基板成膜面(基板中形成含硅薄膜的面)的XPS光谱。

图4是比较例1的基板成膜面的XPS光谱。

图5是比较例2的基板成膜面的XPS光谱。

图6是表示测定实施例1、比较例1和比较例2的基板最表层的面的元素原子浓度的测定结果的曲线图。

具体实施方式

以下，说明本发明的含硅薄膜的制造方法和本发明的光电转换装置的制造方法。另外，本发明不限于以下所示实施方式。

＜第一实施方式＞

本发明的第一实施方式的含硅薄膜的制造方法具有：干洗工序、基板的搬入工序、利用硅烷类气体的净化工序、含硅薄膜的形成工序。为了便于说明，以下，在说明含硅薄膜的形成工序之后，说明干洗工序、基板的搬入工序和利用硅烷类气体的净化工序。

＜含硅薄膜的形成＞