[发明专利]含硅薄膜的制造方法和光电转换装置的制造方法无效
| 申请号： | 201280066669.X | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN104040690A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 奈须野善之;东名敦志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/44;H01L31/18;H01L31/0392 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 光电 转换 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种含硅薄膜的制造方法，在室内在基板上形成含硅薄膜，其特征在于，具有：
利用含氟气体干洗所述室内的第一工序；
将基板搬入所述室内的第二工序；
在使所述基板设置在所述室内的状态下利用硅烷类气体净化所述室内的第三工序；
在所述第三工序之后在所述基板上形成含硅薄膜的第四工序。
2.如权利要求1所述的含硅薄膜的制造方法，其特征在于，
在所述第三工序与所述第四工序之间具有利用与硅烷类气体不同的气体净化所述室内的工序。
3.如权利要求1所述的含硅薄膜的制造方法，其特征在于，
在所述第一工序与所述第二工序之间具有利用所述硅烷类气体净化所述室的工序，以使得在室的极限真空度为A(Pa)时，所述室内的CF4分压在比A×(1.0×10-5)Pa大且比A×(5.0×10-4)Pa小的范围内。
4.如权利要求1所述的含硅薄膜的制造方法，其特征在于，
在所述第三工序中，所述基板中的形成所述含硅薄膜的面的碳原子浓度为60atom％以下。
5.如权利要求1所述的含硅薄膜的制造方法，其特征在于，
所述第三工序在所述基板的温度为20℃以上200℃以下进行。
6.一种光电转换装置的制造方法，其特征在于，
包括如权利要求1～5中任一项所述的含硅薄膜的制造方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
