[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号: | 201280064757.6 | 申请日: | 2012-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN104025266A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
| 发明(设计)人: | 山田纪和;立川俊文;永海幸一;池成达也;前原大辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;株式会社大亨 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;C23C16/509;H01L21/205;H01L21/31;H05H1/46 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置,其在以能够取出和放入被处理基板的方式收纳该被处理基板的能够真空排气的处理容器内生成处理气体的等离子体,利用所述等离子体对所述基板实施期所期望的处理,所述等离子体处理装置的特征在于,包括:
开关方式的高频电源,其具有直流电源和开关元件,由开关脉冲使所述开关元件以高频频带的频率导通/断开,由此将所述直流电源的直流输出转换为高频输出;
高频供电线,其用于将由所述高频电源输出的所述高频供给到所述等离子体;
匹配器,其用于在所述高频供电线上使所述高频电源侧的阻抗与该匹配器的负载侧的阻抗匹配;
高频电力调制部,其控制所述高频电源,使所述高频的电力成为导通状态的导通期间和成为断开状态的断开期间以一定的脉冲频率交替反复;和
残留高频除去部,其用于将在所述脉冲频率的各周期中的所述断开期间中残留在所述高频供电线上的高频除去。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述高频电源具有构成全桥电路的第一组开关元件和第二组开关元件,利用所述开关脉冲,在高频的各周期中,在前半周期将所述第二组的开关元件保持为断开状态使所述第一组的开关元件为导通,在后半周期将所述第一组开关元件保持为断开状态使所述第二组开关元件导通。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述高频电源具有构成半桥电路的第一组开关元件和第二组开关元件,利用所述开关脉冲,在高频的各周期中,在前半周期将所述第二组的开关元件保持为断开状态使所述第一组的开关元件为导通,在后半周期将所述第一组开关元件保持为断开状态使所述第二组开关元件导通。
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述高频电源,在所述脉冲频率的各周期中,在导通时间中对所述开关元件持续供给所述开关脉冲,在断开时间中对所述开关元件停止所述开关脉冲的供给。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述高频电源具有相对于负载电路与所述开关元件串联连接的串联谐振电路。
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述残留高频除去部具有在所述高频供电线与接地电位部件之间串联连接的电阻和开关,在所述脉冲频率的各周期中,在所述导通期间中将所述开关保持为断开状态,在所述断开期间中使所述开关导通。
7.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
在所述处理容器内配置有用于载置所述基板的高频电极,所述高频电极与所述高频供电线电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





