[发明专利]贵金属膜的连续成膜方法和电子零件的连续制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于连续地进行利用溅射使贵金属膜形成在基板之上的工序的贵金属膜的连续成膜方法和使用了该方法的电子零件的连续制造方法。

背景技术

半导体装置中的金属配线使用很多的贵金属材料。贵金属材料是作为元素周期表中的10族和11族的总称来定义的。尤其是，金、铂等作为功能性材料，从其生产率、难易性方面考虑，利用溅射法(以下也称作“溅射”)来形成。例如，在专利文献1中，将利用溅射成膜的铂应用于电极。作为溅射，广泛使用利用等离子体的等离子体溅射。

使用图4说明该等离子体溅射中的粒子的运动。在溅射中的等离子体内部存在作为放电气体而被导入的气体的离子和自靶608发射出的金属离子603。上述离子603被电场加速而入射到安装于阴极601的靶608，从而在靶608表面上发射出二次电子604。另外，一部分的离子603带有因粒子的碰撞等而获得的动量，因此克服由电场引起的加速的影响而与放电空间内壁碰撞。在通常的溅射装置中，为了防止放电空间的腔室内壁被溅射粒子所覆盖而将防附着板602附设在腔室内壁的内侧，因此能够将放电空间内壁改称作防附着板602表面。在防附着板602表面上，与靶608同样地，也因离子603的碰撞而发射出二次电子604，由于自上述靶608和防附着板602表面连续供给的电子而等离子体得以持续。

专利文献1：日本特表2002-524850号公报

在设置于溅射装置的腔室内之前的防附着板602的表面上，如图4所示那样形成自然氧化膜605，或者作为表面处理实施喷丸加工、金属材料的喷镀处理。因此，该防附着板602的表面具有较高的二次电子发射系数，在刚将新的防附着板602设置好的状态下，易于生成或维持等离子体。

另外，当推进成膜时，在防附着板602的表面上堆积有靶材，而在使用了贵金属原子之外的通常金属的通常的溅射中，会由于残留于真空室内的气体而在覆盖防附着板602表面的金属表面发生氧化或氮化，从而维持防附着板602表面的二次电子的发射特性。

然而，贵金属原子因其化学稳定性而不易发生表面变质。因此，能够想到，若连续进行贵金属的成膜，则会如图5所示那样在防附着板602的表面上形成贵金属覆膜606而使得该防附着板602的表面的二次电子发射系数显著降低，从而难以生成或维持等离子体。因此，在用于连续地进行贵金属膜的成膜的溅射装置中，需要进行防附着板更换等维护作业，这会使生产率显著降低。能够想到，这样的问题在如下情况下等尤其显著：为了以较高的成膜速度进行贵金属的成膜，使用1个大型贵金属靶、使用基于多个贵金属靶的并行溅射，仅在1个腔室内进行贵金属的成膜。

发明内容

本发明是鉴于这样的问题而做出的，其目的在于，提供一种能够长时间连续地进行稳定的成膜的贵金属膜的连续成膜方法和应用了该方法的电子零件的连续制造方法。

本发明的第1发明提供一种贵金属膜的连续成膜方法，该连续成膜方法连续地对多个基板进行如下工序，即，将基板输入到腔室内，在上述腔室内利用等离子体溅射在上述基板之上形成由贵金属构成的膜，之后将上述基板自上述腔室内输出，其特征在于，在将形成有由上述贵金属构成的膜的任意的基板自上述腔室内输出起到将在接下来进行成膜的基板输入到上述腔室内为止的期间中，在上述腔室的内壁表面上形成由二次电子发射系数比上述贵金属的二次电子发射系数高的材料构成的二次电子发射覆膜。

本发明的第2发明提供一种电子零件的连续制造方法，该电子零件将贵金属膜作为构件而具备该贵金属膜，其特征在于，利用权利要求1至5中任一项所述的贵金属膜的连续成膜方法来形成上述贵金属膜。

采用本发明，在基于等离子体溅射的贵金属膜的连续成膜中，能够稳定地生成等离子体，从而能够进一步提高生产率。因而，能够以较高的生产率来制造具备贵金属膜的电子零件。

附图说明

图1是表示实施本发明的第1实施方式的溅射装置的结构的图。

图2是表示实施本发明的第1实施方式的溅射装置的另一结构的图。

图3是表示实施本发明的第2实施方式的溅射装置的结构的图。

图4是用于说明等离子体溅射中的粒子和电子的运动的图。

图5是用于说明本发明的课题的图。

图6是用于说明本发明中的、等离子体溅射中的粒子和电子的运动的图。

具体实施方式