[发明专利]贵金属膜的连续成膜方法和电子零件的连续制造方法有效
| 申请号： | 201280064719.0 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104011254A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 若柳俊一;渡边荣作 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 贵金属 连续 方法 电子零件 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种贵金属膜的连续成膜方法，该连续成膜方法连续地对多个基板进行如下工序，即，将基板输入到腔室内，在上述腔室内利用等离子体溅射在上述基板之上形成由贵金属构成的膜，之后将上述基板自上述腔室内输出，其特征在于，
在将形成有由上述贵金属构成的膜的任意的基板自上述腔室内输出起到将在接下来进行成膜的基板输入到上述腔室内为止的期间中，在上述腔室的内壁表面上形成由二次电子发射系数比上述贵金属的二次电子发射系数高的材料构成的二次电子发射覆膜。
2.根据权利要求1所述的贵金属膜的连续成膜方法，其特征在于，
利用溅射来形成上述二次电子发射覆膜。
3.根据权利要求1所述的贵金属膜的连续成膜方法，其特征在于，
利用蒸镀来形成上述二次电子发射覆膜。
4.根据权利要求1所述的贵金属膜的连续成膜方法，其特征在于，
将反应性气体导入到上述腔室内，使用等离子体使附着在上述腔室的内壁表面上的上述贵金属与上述反应性气体发生化学反应，从而形成上述二次电子发射覆膜。
5.根据权利要求4所述的贵金属膜的连续成膜方法，其特征在于，
上述反应性气体是氧气或氮气。
6.一种电子零件的连续制造方法，该电子零件将贵金属膜作为构件而具备该贵金属膜，其特征在于，
利用权利要求1至5中任一项所述的贵金属膜的连续成膜方法来形成上述贵金属膜。
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