[发明专利]半导体封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201280064618.3 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN104025288A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 朴润默;田炳栗 申请(专利权)人: NEPES株式会社
主分类号: H01L23/28 分类号: H01L23/28;H01L23/48;H01L23/12
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 谢顺星;张晶
地址: 韩国忠*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,其包括:

嵌入重新布线图案层;

上侧半导体芯片,位于所述嵌入重新布线图案层的上侧;

上侧密封部件,密封所述上侧半导体芯片;

下侧半导体芯片,位于所述嵌入重新布线图案层的下侧;以及

下侧密封部件,密封成不露出所述下侧半导体芯片。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,还包括:

导电柱,与所述嵌入重新布线图案层电连接;以及

外侧连接部件,与所述导电柱电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体封装,其特征在于,还包括外侧重新布线图案层,其位于所述下侧密封部件的下侧,将所述导电柱和所述外侧连接部件电连接。

4.根据权利要求2所述的半导体封装,其特征在于,所述外侧连接部件的一部分位于所述下侧半导体芯片的下侧。

5.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述上侧密封部件和所述下侧密封部件相互连接,密封成不露出所述嵌入重新布线图案层。

6.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述下侧密封部件贯穿所述嵌入重新布线图案层的一部分而与所述上侧密封部件连接。

7.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述上侧半导体芯片和所述下侧半导体芯片通过所述嵌入重新布线图案层相互电连接。

8.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述下侧半导体芯片包括多个下侧半导体芯片。

9.根据权利要求8所述的半导体封装,其特征在于,还包括与所述嵌入重新布线图案层电连接,并嵌入所述密封部件的多个导电柱,

所述导电柱的一部分位于所述多个下侧半导体芯片之间。

10.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述上侧半导体芯片包括多个上侧半导体芯片。

11.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述上侧半导体芯片和所述下侧半导体芯片具有相同大小。

12.一种半导体封装的制造方法,其包括:

在第一承载基板上粘贴上侧半导体芯片的步骤;

形成密封所述上侧半导体芯片的上侧密封部件的步骤;

在所述上侧密封部件上粘贴第二承载基板的步骤;

去除所述第一承载基板,露出所述上侧半导体芯片的步骤;

在所述露出的上侧半导体芯片及所述上侧密封部件上形成嵌入重新布线图案层的步骤;

形成与所述嵌入重新布线图案层电连接的导电柱的步骤;

在所述嵌入重新布线图案层的下侧以与所述上侧半导体芯片相反的位置粘贴下侧半导体芯片的步骤;

形成密封所述下侧半导体芯片及所述导电柱的下侧密封部件的步骤;

使所述下侧密封部件平坦以露出所述导电柱的步骤;

在所述下侧密封部件上形成与所述导电柱电连接的外侧重新布线图案层的步骤;以及

在所述外侧重新布线图案层上以电连接的方式粘贴外侧连接部件的步骤。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NEPES株式会社,未经NEPES株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280064618.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top