[发明专利]用于线路驱动器的三态控制

说明书

相关申请

本申请要求于2011年12月29日提交的美国申请S/N.13/340,365的优先权权益。

背景

本发明主题内容的各实施例一般涉及通信设备领域，且尤其涉及用于线路驱动器的三态控制。

通信设备包括发射机和接收机，它们通常共享共同通信介质用于传送或接收信号。对于有线通信网络而言，发射机的输出阻抗应该为低以便驱动低阻抗通信介质。发射机的输出处(例如，在线路驱动器电路处)的低阻抗能使得将要传送的信号被恰当地耦合至该通信介质。然而，当接收机正经由该通信介质接收信号时，发射机的输出阻抗应该为高以确保收到的信号被耦合至该接收机而非耦合至发射机。

概述

公开了用于线路驱动器的三态控制机制的各种实施例。在一个实施例中，通信设备包括接收机单元，其可操作用于在该通信设备被配置为在接收工作模式中时经由通信介质接收一个或多个信号。该通信设备还包括发射机单元，其可操作用于在该通信设备被配置为在传送工作模式中时经由该通信介质传送一个或多个信号。发射机单元包括线路驱动器电路，其可操作用于在该通信设备被配置为在传送工作模式中时放大经由该通信介质传送的这一个或多个信号。发射机单元还包括与线路驱动器电路耦合的偏置电路。该偏置电路可操作用于响应于在该通信设备被配置为在接收工作模式中时接收到第一控制信号来生成第一偏置电压以将线路驱动器电路的输出晶体管偏置在阈下状态。该偏置电路可操作用于响应于在该通信设备被配置为在传送工作模式中时接收到第二控制信号来生成第二偏置电压以将线路驱动器电路的输出晶体管偏置在饱和状态。

在一些实施例中，偏置电路包括第一p沟道晶体管，其中第一p沟道晶体管的漏极端与第一p沟道晶体管的栅极端耦合，其中第一p沟道晶体管的源极端与电源耦合；第二p沟道晶体管，其中第二p沟道晶体管的漏极端与第二p沟道晶体管的栅极端耦合，其中第二p沟道晶体管的栅极端与线路驱动器电路耦合，其中第二p沟道晶体管的源极端与第一p沟道晶体管的漏极端与栅极端之结耦合，其中第二p沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与接地端耦合；第一开关器件，其中第一开关器件的第一端与电源耦合并且第一开关器件的第二端与第一p沟道晶体管的栅极端耦合，其中第一开关器件的控制端可操作用于接收控制信号；第一n沟道晶体管，其中第一n沟道晶体管的漏极端与第一n沟道晶体管的栅极端耦合，其中第一n沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与电源耦合，其中第一n沟道晶体管的栅极端与线路驱动器电路耦合；第二n沟道晶体管，其中第二n沟道晶体管的漏极端与第二n沟道晶体管的栅极端耦合，其中第二n沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与第一p沟道晶体管的源极端耦合，其中第二n沟道晶体管的源极端与接地端耦合；以及与第二n沟道晶体管耦合的第二开关器件，其中第二开关器件的第一端与接地端耦合并且第二开关器件的第二端与第二n沟道晶体管的栅极端耦合，其中第二开关器件的控制端可操作用于接收控制信号。

在一些实施例中，线路驱动器电路包括与第三n沟道晶体管耦合的第三p沟道晶体管，其中第三p沟道晶体管的漏极端与第三n沟道晶体管的源极端耦合，第三p沟道晶体管的源极端与第三n沟道晶体管的漏极端耦合，第三p沟道晶体管的栅极端与偏置电路的第二p沟道晶体管的栅极端耦合，第三n沟道晶体管的栅极端与偏置电路的第一n沟道晶体管的栅极端耦合，其中第三p沟道晶体管的漏极端与第三n沟道晶体管的源极端之结与接地端耦合，其中第三p沟道晶体管的源极端与第三n沟道晶体管的漏极端之结与电源耦合；以及线路驱动器电路的p沟道输出晶体管，其与该线路驱动器电路的n沟道输出晶体管耦合，其中p沟道输出晶体管的源极端与电源耦合，p沟道输出晶体管的漏极端与n沟道输出晶体管的漏极端耦合，n沟道输出晶体管的源极端与接地端耦合，其中p沟道输出晶体管的栅极端与第三p沟道晶体管的源极端与第三n沟道晶体管的漏极端之结耦合，其中n沟道输出晶体管的栅极端与第三p沟道晶体管的漏极端之结耦合并且第三n沟道晶体管的源极端与接地端耦合，其中p沟道输出晶体管的漏极端与n沟道输出晶体管的漏极端之结是该线路驱动器电路的输出端。

在一些实施例中，偏置电路可操作用于生成第一偏置电压以将线路驱动器电路的输出晶体管偏置在阈下状态包括：该偏置电路可操作用于将第一偏置电压应用于线路驱动器电路的每个输出晶体管的栅极端以将输出晶体管偏置在与输出晶体管相关联的截止状态和与输出晶体管相关联的饱和状态之间的中间工作状态，其中输出晶体管在被配置为在截止状态时关断，其中输出晶体管在被配置为在饱和状态时导通。