[发明专利]用于线路驱动器的三态控制有效

专利信息
申请号: 201280064539.2 申请日: 2012-12-27
公开(公告)号: CN104012058A 公开(公告)日: 2014-08-27
发明(设计)人: S-M·李;M·P·玛克 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H04L25/02 分类号: H04L25/02;H04L5/16
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 亓云
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 线路 驱动器 三态 控制
【权利要求书】:

1.一种通信设备,包括:

接收机单元,其能操作用于在所述通信设备被配置为在接收工作模式时经由通信介质接收一个或多个信号;以及

发射机单元,其能操作用于在所述通信设备被配置为在传送工作模式时经由所述通信介质传送一个或多个信号,其中所述发射机单元包括:

线路驱动器电路,其能操作用于在所述通信设备被配置为在所述传送工作模式时放大经由所述通信介质传送的所述一个或多个信号;以及

与所述线路驱动器电路耦合的偏置电路,所述偏置电路能操作用于:

响应于在所述通信设备被配置为在所述接收工作模式时接收到第一控制信号来生成第一偏置电压以将所述线路驱动器电路的输出晶体管偏置在阈下状态;

响应于在所述通信设备被配置为在所述传送工作模式时接收到第二控制信号来生成第二偏置电压以将所述线路驱动器电路的输出晶体管偏置在饱和状态。

2.如权利要求1所述的通信设备,其特征在于,所述偏置电路包括:

第一p沟道晶体管,其中所述第一p沟道晶体管的漏极端与所述第一p沟道晶体管的栅极端耦合,其中所述第一p沟道晶体管的源极端与电源耦合;

第二p沟道晶体管,其中所述第二p沟道晶体管的漏极端与所述第二p沟道晶体管的栅极端耦合,其中所述第二p沟道晶体管的栅极端与所述线路驱动器电路耦合,其中所述第二p沟道晶体管的源极端与所述第一p沟道晶体管的漏极端与栅极端之结耦合,其中所述第二p沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与接地端耦合;

第一开关器件,其中所述第一开关器件的第一端与所述电源耦合并且所述第一开关器件的第二端与所述第一p沟道晶体管的栅极端耦合,其中所述第一开关器件的控制端能操作用于接收所述控制信号;

第一n沟道晶体管,其中所述第一n沟道晶体管的漏极端与所述第一n沟道晶体管的栅极端耦合,其中所述第一n沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与所述电源耦合,其中所述第一n沟道晶体管的栅极端与所述线路驱动器电路耦合;

第二n沟道晶体管,其中所述第二n沟道晶体管的漏极端与所述第二n沟道晶体管的栅极端耦合,其中所述第二n沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与所述第一p沟道晶体管的源极端耦合,其中所述第二n沟道晶体管的源极端与所述接地端耦合;以及

与所述第二n沟道晶体管耦合的第二开关器件,其中所述第二开关器件的第一端与所述接地端耦合并且所述第二开关器件的第二端与所述第二n沟道晶体管的所述栅极端耦合,其中所述第二开关器件的控制端能操作用于接收所述控制信号。

3.如权利要求2所述的通信设备,其特征在于,所述线路驱动器电路包括:

与第三n沟道晶体管耦合的第三p沟道晶体管,其中所述第三p沟道晶体管的漏极端与所述第三n沟道晶体管的源极端耦合,所述第三p沟道晶体管的源极端与所述第三n沟道晶体管的漏极端耦合,所述第三p沟道晶体管的栅极端与所述偏置电路的所述第二p沟道晶体管的栅极端耦合,所述第三n沟道晶体管的栅极端与所述偏置电路的所述第一n沟道晶体管的栅极端耦合,其中所述第三p沟道晶体管的漏极端与所述第三n沟道晶体管的源极端之结与所述接地端耦合,其中所述第三p沟道晶体管的源极端与所述第三n沟道晶体管的漏极端之结与所述电源耦合;以及

所述线路驱动器电路的p沟道输出晶体管,其与所述线路驱动器电路的n沟道输出晶体管耦合,其中所述p沟道输出晶体管的源极端与所述电源耦合,所述p沟道输出晶体管的漏极端与所述n沟道输出晶体管的漏极端耦合,所述n沟道输出晶体管的源极端与所述接地端耦合,其中所述p沟道输出晶体管的栅极端与所述第三p沟道晶体管的源极端与所述第三n沟道晶体管的漏极端之结耦合,其中所述n沟道输出晶体管的栅极端与所述第三p沟道晶体管的漏极端之所述结耦合并且所述第三n沟道晶体管的所述源极端与所述接地端耦合,其中所述p沟道输出晶体管的漏极端与所述n沟道输出晶体管的漏极端之结是所述线路驱动器电路的输出端。

4.如权利要求1所述的通信设备,其特征在于,所述偏置电路能操作用于生成第一偏置电压以将所述线路驱动器电路的所述输出晶体管偏置在所述阈下状态包括所述偏置电路能操作用于:

将所述第一偏置电压应用于所述线路驱动器电路的每个所述输出晶体管的栅极端以将所述输出晶体管偏置在与所述输出晶体管相关联的截止状态和与所述输出晶体管相关联的饱和状态之间的中间工作状态,其中所述输出晶体管在被配置为在截止状态时被关断,其中所述输出晶体管在被配置为在饱和状态时被导通。

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