[发明专利]硅微粒的制造方法和制造设备

权利要求书

1.一种硅微粒的制造方法，其包括：

在由非碳物质形成的区域中，在惰性气氛下通过使用加热手段加热通过干燥包含硅源和碳源的混合物获得的前驱体的步骤A，

在所述由非碳物质形成的区域中在惰性气氛下迅速冷却通过加热所述前驱体产生的气体的步骤B，

其中所述硅源和所述碳源的至少之一为液态。

2.根据权利要求1所述的硅微粒的制造方法，其中在所述步骤A中，在具有由非碳物质构成的内壁的室中，通过使用热等离子体、电阻加热设备、激光加热设备或电弧等离子体作为所述加热手段来加热所述前驱体。

3.一种硅微粒的制造设备，其包括：

加热手段，其构造为在由非碳物质形成的区域中在惰性气氛下来加热通过干燥包含硅源和碳源的混合物获得的前驱体，

迅速冷却手段，其构造为在所述由非碳物质形成的区域中在惰性气氛下来迅速冷却通过加热所述前驱体产生的气体，

其中所述硅源和所述碳源的至少之一为液态。

4.根据权利要求3所述的硅微粒的制造设备，其中所述加热手段被构造为在具有由非碳物质构成的内壁的室中，通过使用热等离子体、电阻加热设备、激光加热设备或电弧等离子体来加热所述前驱体。

5.根据权利要求4所述的硅微粒的制造设备，其中所述迅速冷却手段被构造为通过将所述气体释放到加热区域之外迅速冷却所述气体，在所述加热区域中通过所述加热手段加热所述前驱体。