[发明专利]用于有机电子器件的基板有效
申请号: | 201280062445.1 | 申请日: | 2012-10-15 |
公开(公告)号: | CN104303327B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 李渊槿;安庸植;金正斗;朴珉春;金智嬉 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H05B33/22 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 有机 电子器件 | ||
1.用于有机电子器件的基板,所述基板依次包括基础层;光散射层和电极层,其中,所述电极层的形成面积大于所述光散射层的形成面积,且所述电极层还形成于未形成所述光散射层的基础层的表面上,
其中所述光散射层包括基体材料和光散射颗粒,所述光散射颗粒的折射率与基体材料的折射率不同,
其中所述基体材料包括具有1.65以上的折射率的聚酰胺酸或聚酰亚胺,
其中在位于所述光散射层与第一电极层之间设置平整层,且所述平整层是由高折射颗粒与基体材料混合而形成,
其中所述光散射层的形成面积对应于或大于发光层的发光区域的形成面积,
其中“所述光散射层的形成面积对应于发光层的发光区域的形成面积”是指在从上方或下部观察有机电子设备时,发光区域和光散射层彼此重叠。
2.根据权利要求1所述的基板,其中,所述电极层的形成面积(A)与所述光散射层的形成面积(B)之比(A/B)为1.04以上。
3.根据权利要求1所述的基板,其中,所述电极层还在超过所述光散射层的整个外围的区域形成。
4.根据权利要求1所述的基板,其中,所述基础层为透明的。
5.根据权利要求1所述的基板,其中,所述电极层为空穴注入电极层或电子注入电极层。
6.根据权利要求1所述的基板,其中,所述光散射颗粒的折射率为1.0-3.5。
7.根据权利要求1所述的基板,其中,所述光散射层为具有凹-凸结构的层。
8.根据权利要求1所述的基板,其中,所述平整层的折射率为1.7以上。
9.一种有机电子设备,其包括:
基础层;形成于所述基础层之上的光散射层;形成于所述光散射层之上的第一电极层;形成于所述第一电极层之上且包括发光层的有机层;和形成于所述有机层之上的第二电极层,其中,所述第一电极层的形成面积大于所述光散射层的形成面积,且所述电极层还形成于未形成光散射层的基础层的表面上,
其中所述光散射层包括基体材料和光散射颗粒,所述光散射颗粒的折射率与基体材料的折射率不同,
其中所述基体材料包括具有1.65以上的折射率的聚酰胺酸或聚酰亚胺,
其中在位于所述光散射层与第一电极层之间设置平整层,且所述平整层是由高折射颗粒与基体材料混合而形成,
其中所述光散射层的形成面积对应于或大于所述发光层的发光区域的形成面积,
其中“所述光散射层的形成面积对应于发光层的发光区域的形成面积”是指在从上方或下部观察有机电子设备时,发光区域和光散射层彼此重叠。
10.根据权利要求9所述的有机电子设备,其中,所述光散射层的形成区域的长度(B)与所述发光层的发光区域的长度(C)之差(B-C)在10μm至2mm的范围内。
11.根据权利要求9所述的有机电子设备,其还包括封装结构,所述封装结构保护有机层和第二电极层,且所述封装结构粘附于下方未形成光散射层的第一电极层的上表面。
12.根据权利要求11所述的有机电子设备,其中,所述封装结构为玻璃罐或金属罐。
13.根据权利要求11所述的有机电子设备,其中,所述封装结构为覆盖所述有机层和所述第二电极层的整个表面的薄膜。
14.一种制造用于有机电子器件的基板的方法,所述方法包括通过处理形成于基础层之上的光散射层来移除至少一部分光散射层,
其中所述光散射层包括基体材料和光散射颗粒,所述光散射颗粒的折射率与基体材料的折射率不同,
其中所述基体材料包括具有1.65以上的折射率的聚酰胺酸或聚酰亚胺,
其中在位于所述光散射层与第一电极层之间设置平整层,且所述平整层是由高折射颗粒与基体材料混合而形成,
其中所述光散射层的形成面积对应于或大于发光层的发光区域的形成面积,
其中“所述光散射层的形成面积对应于发光层的发光区域的形成面积”是指在从上方或下部观察有机电子设备时,发光区域和光散射层彼此重叠。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述光散射层通过湿法刻蚀、干法刻蚀、激光法或水喷射法进行处理。
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