[发明专利]用于电机的功率模块

权利要求书

1.用于电机的功率模块(1、2)，所述功率模块具有功率输出级(5)，所述功率输出级包括至少一个半导体开关(3、4)，

其特征在于，所述功率模块(1、2)包括能量储存器(8、9)，其中，所述功率输出级(5)的输入端与电的能量储存器(8、9)连接，以及所述能量储存器(8、9)具有与正接触轨(7)连接的正连接端子(25)和与负接触轨(6)连接的负连接端子(26)，其中，所述接触轨(6、7)的至少一个表面区段(10、11)分别与所述半导体开关(3、4)中的至少一个的连接面电连接。

2.如权利要求1所述的功率模块(1、2)，

其特征在于，所述正接触轨(7)和所述负接触轨(6)围成一个空腔，所述能量储存器(8、9)至少部分地或者全部地容纳在所述空腔中。

3.如权利要求1或2所述的功率模块(1、2)，

其特征在于，借助于所述接触轨(6、7)形成凹槽，其中，所述能量储存器(8、9)至少部分地或者全部地容纳在所述凹槽中。

4.如前述权利要求中任一项所述的功率模块(1、2)，

其特征在于，所述接触轨(6、7)的所述表面区段(10、11)通过所述接触轨(6、7)的沿着所述接触轨(6、7)的纵向延伸方向(40)折弯的区段形成。

5.如前述权利要求中任一项所述的功率模块(1、2)，

其特征在于，所述接触轨(30、32)分别以所述表面区段(34、36)相互隔开地重叠并且彼此围成一个间隙，其中，所述至少一个半导体开关(3、4)被包围在所述间隙中以及所述半导体开关(3、4)的至少一个连接端子(60、63)与至少一个接触轨(30、32)导电连接。

6.如前述权利要求1至4中任一项所述的功率模块(1、2)，

其特征在于，所述功率输出级具有两个半导体开关(3、4)，这两个半导体开关共同形成一个半桥以及所述半桥的高侧半导体开关(3)通过连接端子(63)与所述正接触轨(7、32)的所述表面区段(36、10)连接以及所述半桥的低侧半导体开关(4)与所述负接触轨(6、30)的所述表面区段(11、34)连接。

7.如权利要求6所述的功率模块(1、2)，

其特征在于，所述功率模块(1、2)具有输出连接端子(13、14、35)，所述输出连接端子与所述半桥(3、4)的输出端(61、62)连接，其中，所述输出连接端子(13、14、35)通过一个表面区段与所述高侧半导体开关(3)连接以及通过同一个或者另一个表面区段与所述低侧半导体开关(4)连接，其中，所述高侧半导体开关(3)设置在所述输出连接端子(13、14、35)的所述一个表面区段与所述正接触轨(7)的表面区段(10)之间，其中，所述低侧半导体开关(4)设置在所述输出连接端子(13、14、35)的所述同一个或者另一个表面区段与所述负接触轨(6)的表面区段(11)之间。

8.如前述权利要求中任一项所述的功率模块(1、2)，

其特征在于，所述半导体开关(3、4)的所述连接端子(60、61、62、63)分别由所述半导体开关(3、4)的彼此对置的表面区域形成。

9.如前述权利要求中任一项所述的功率模块(1、2)，

其特征在于，所述半导体开关(3、4)是场效应晶体管。

10.如前述权利要求中任一项所述的功率模块(1、2)，

其特征在于，所述功率模块(1、2)与冷却元件(18)导热连接，其中，一个接触轨(6、7)的至少一个表面区段(10、12)或者此外还有所述输出连接端子(13、14)的一个表面区段与所述冷却元件(18)导热连接。

11.如前述权利要求中任一项所述的功率模块(1、2)，

其特征在于，所述功率模块(1、2)包括至少一个二极管(70、72)，所述二极管与所述半导体开关(3、4)的开关路径并联。