[发明专利]石墨膜及石墨膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种松弛得到了控制的石墨膜、以及松弛得到了控制的石墨膜的制造方法。

背景技术

散热部件常被用于计算机等各类电子/电气设备中装载的半导体原件及其他散热器件等。尤其是当散热部件用在大型产品中时，优选使用以高分子膜为原料的长条状/大面积的石墨膜。为了制造此类石墨膜，技术人员进行了许多研究。例如业界提出了一种将宽250mm×长30m的高分子膜卷到外径150mm的碳质圆筒状内芯上，并进行热处理的方法(专利文献1)。

[现有技术文献]

专利文献1：日本国专利申请公开公报“特开2006-327907号”，2006年12月7日公开。

发明内容

[本发明所要解决的问题]

然而专利文献1的方法不能控制石墨膜的松弛，因此会出现如图1所示的较大松弛量Zgs。

[解决问题的技术方案]

本发明涉及一种石墨膜(方案1)，其具有2种以上不同的松弛形状且膜的最长边方向上的长度为4m以上。

本发明涉及一种石墨膜(方案2)，其2种以上不同的松弛形状各自所占的区域的最长边方向上的长度各为2.0m以上。

本发明涉及一种石墨膜(方案3)，其2种以上不同的松弛形状是以下的任意一个组合：平坦与中央松弛、平坦与端部松弛、平坦与单侧松弛、中央松弛与端部松弛、中央松弛与单侧松弛、端部松弛与单侧松弛。

本发明涉及一种石墨膜(方案4)，其2种以上不同的松弛形状各自是选自平坦、中央松弛、端部松弛、单侧松弛中的任一松弛形状，且彼此相邻的2种松弛形状互异。

本发明涉及一种石墨膜(方案5)，其中所述平坦是在基于JIS C2151的膜卷取性评价法中松弛量为4.9mm以下的松弛形状。

本发明涉及一种石墨膜(方案6)，其中所述中央松弛是石墨膜中央部的松弛量b值为5mm以上80mm以下的松弛形状。

本发明涉及一种石墨膜(方案7)，其中所述端部松弛是石墨膜端部的松弛量a值为5mm以上80mm以下的松弛形状。

本发明涉及一种石墨膜(方案8)，其中所述单侧松弛是石墨膜的弯曲量为11mm以上80mm以下的松弛形状。

另外，本发明涉及一种石墨膜的制造方法(方案9)，其包含一边对原料石墨膜施压一边加热至2000℃以上来进行热处理的矫正处理步骤，其中所述石墨膜是具有2种以上不同的松弛形状且膜的最长边方向上的长度为4m以上的石墨膜。

本发明涉及一种石墨膜的制造方法(方案10)，其包含把由高分子膜经2000℃以上的热处理而得到的石墨膜冷却至低于2000℃的温度条件至少1次来获得所述原料石墨膜的工序，且在该工序后进行所述矫正处理步骤。

本发明涉及一种石墨膜的制造方法(方案11)，其中，在所述矫正处理步骤中以原料石墨膜被卷绕在内芯上的状态来进行热处理。

另外，本发明涉及一种石墨膜的制造方法(方案12)，其包含一边对原料石墨膜施压一边加热至2000℃以上来进行热处理的矫正处理步骤，并且在所述矫正处理步骤中以原料石墨膜被卷绕在至少2根内芯上的状态来进行热处理，其中，所述石墨膜是具有2种以上不同的松弛形状且膜的最长边方向上的长度为4m以上的石墨膜。

另外，本发明涉及一种石墨膜的制造方法(方案13)，其包含对高分子膜实施以下松弛控制步骤(a)～(d)中至少2种松弛控制步骤的工序，且在该工序后以2000℃以上的温度对所述高分子膜进行热处理。

松弛控制步骤(a)：在自高分子膜的热分解开始温度起至高分子膜的松弛控制温度为止的温度范围下，以使高分子膜的宽度方向上的两端部的温度高于高分子膜的宽度方向上的中央部的温度，且使高分子膜的宽度方向上的自两端部至中央部的温度梯度成为3.5℃/m以上75.0℃/m以下的方式，来对高分子膜进行热处理。

松弛控制步骤(b)：在自高分子膜的热分解开始温度起至高分子膜的松弛控制温度为止的温度范围下，以使高分子膜的宽度方向上的两端部的温度低于高分子膜的宽度方向上的中央部的温度，且使高分子膜的宽度方向上的自两端部至中央部的温度梯度成为-75℃/m以上-3.5℃/m以下的方式，来对高分子膜进行热处理。

松弛控制步骤(c)：在自高分子膜的热分解开始温度起至高分子膜的松弛控制温度为止的温度范围下，以使高分子膜的宽度方向上的自两端部至中央部的温度梯度成为-3.4℃/m以上3.4℃/m以下的方式，来对高分子膜进行热处理。