[发明专利]薄膜太阳电池模组及其制造方法有效
申请号: | 201280057822.2 | 申请日: | 2012-11-22 |
公开(公告)号: | CN103946989A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 杉本广纪;石川佳祐;近藤真司 | 申请(专利权)人: | 昭和砚壳石油株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳电池 模组 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种串联了多个单元(Cell)的薄膜太阳电池模组(Module)及其制造方法。
背景技术
近年,不需要燃料、不排放温室效应气体的太阳光发电受到了广泛的注目。作为太阳光发电中所使用的太阳电池模组,熟知的例如有使用了非晶硅或微结晶硅等的薄膜硅、CIS类薄膜等的化合物类薄膜等的薄膜太阳电池模组。
例如,就CIS类薄膜太阳电池模组而言,具有如下结构,即,在基板上依次积层了作为发电元件的里面电极层、光吸收层、及透明导电膜,这些层被多个分割沟分割为多个(本文中,多个指2个以上)单元,并相互串联。例如,作为通过去除里面电极层上的光吸收层来制作分割沟的方法,熟知的有使用针的机械划线法、使用激光的激光划线法(例如,参照专利文献1)。
另外,为了提高这样的CIS类薄膜太阳电池模组的效率,在形成光吸收层时,向光吸收层中添加钠(Na)等碱金属的技术是熟知的。光吸收层中所添加的钠(Na)等碱金属的一部分扩散至里面电极层,并残留在里面电极层中。也就是说,里面电极层中含有钠(Na)等碱金属(例如,参照专利文献2)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]特开2011-165864号公报
[专利文献2]特开2011-129631号公报
发明内容
[发明要解决的课题]
但是,就上述专利文献2所公开的那样的、向光吸收层中添加了钠(Na)等碱金属的薄膜太阳电池模组而言,在采用专利文献1所公开的方法形成了分割沟的情况下,本发明的发明人发现,作为薄膜太阳电池模组的特性之一的曲线因子(FF:Fill Factor)的恶化超出了想象。
作为特性恶化的理由,本发明的发明人认为,其原因在于,在形成透明导电膜时,里面电极层中所含有的钠(Na)等碱金属扩散至分割沟部分的透明导电膜,结果导致分割沟部分的电阻值变高。
本发明是鉴于上述问题而提出的,其课题为,提供一种可对特性恶化进行抑制的太阳电池模组及其制造方法。
[用于解决课题的手段]
本薄膜太阳电池模组的制造方法的特征在于具有:在基板上对里面电极层进行成膜的里面电极层成膜步骤;向所述里面电极层中添加碱金属的碱金属添加步骤;在所述里面电极层上进行光吸收层的成膜的光吸收层成膜步骤;形成对所述光吸收层进行分割的分割沟,并在所述分割沟内使所述里面电极层的表面露出的分割沟形成步骤;在所述分割沟内露出的所述里面电极层的表面,进行所述里面电极层和所述碱金属的合金化的合金化步骤;以及、在所述光吸收层上及所述分割沟内进行透明导电膜的成膜的透明导电膜成膜步骤。
本薄膜太阳电池模组的特征在于具有:基板;在所述基板上被成膜的里面电极层;在所述里面电极层上被成膜的光吸收层;对所述光吸收层进行分割,并使所述里面电极层的表面露出的分割沟;在所述光吸收层上及所述分割沟内被成膜的透明导电膜。并且其中,所述里面电极层中添加了碱金属,在所述分割沟内露出的所述里面电极层的表面,形成了所述里面电极层和所述碱金属的合金。
[发明的效果]
根据所公开的技术,能够提供一种可对特性恶化进行抑制的太阳电池模组及其制造方法。
附图概述
[图1]对本实施方式的CIS类薄膜太阳电池模组进行例示的平面图。
[图2]沿图1的A-A线的部分截面图。
[图3]沿图1的B-B线的截面图。
[图4]对本实施方式的CIS类薄膜太阳电池模组的制造步骤进行例示的图(其1)。
[图5]对本实施方式的CIS类薄膜太阳电池模组的制造步骤进行例示的图(其2)。
[图6]对本实施方式的CIS类薄膜太阳电池模组的制造步骤进行例示的图(其3)。
[图7]对本实施方式的CIS类薄膜太阳电池模组的制造步骤进行例示的图(其4)。
[图8]对本实施方式的CIS类薄膜太阳电池模组的制造步骤进行例示的图(其5)。
[图9]对本实施方式的CIS类薄膜太阳电池模组的制造步骤进行例示的图(其6)。
[图10]对各样本的变换效率进行例示的图。
[图11]对碱金属和里面电极层的合金化抑制碱金属向透明导电膜扩散的效果进行例示的图(其1)。
[图12]对碱金属和里面电极层的合金化抑制碱金属向透明导电膜扩散的效果进行例示的图(其2)。
本发明的实施方式
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的