[发明专利]薄膜太阳电池模组及其制造方法有效
申请号: | 201280057822.2 | 申请日: | 2012-11-22 |
公开(公告)号: | CN103946989A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 杉本广纪;石川佳祐;近藤真司 | 申请(专利权)人: | 昭和砚壳石油株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳电池 模组 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜太阳电池模组的制造方法,具有:
在基板上进行里面电极层的成膜的里面电极层成膜步骤;
对所述里面电极层进行碱金属的添加的碱金属添加步骤;
在所述里面电极层上进行光吸收层的成膜的光吸收层成膜步骤;
形成分割所述光吸收层的分割沟,并在所述分割沟内使所述里面电极层的表面露出的分割沟形成步骤;
在所述分割沟内露出的所述里面电极层的表面,使所述里面电极层和所述碱金属进行合金化的合金化步骤;及
在所述光吸收层上及所述分割沟内进行透明导电膜的成膜的透明导电膜成膜步骤。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池模组的制造方法,其中:
在所述碱金属添加步骤中,添加钠(Na)作为所述碱金属。
3.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池模组的制造方法,其中:
所述分割沟形成步骤和所述合金化步骤为相同的步骤,
通过对所述光吸收层照射激光以形成所述分割沟的同时,通过所述激光对所述里面电极层和所述碱金属进行合金化。
4.根据权利要求3所述的薄膜太阳电池模组的制造方法,其中:
所述激光的波长为1064nm,并且,所述激光的脉冲宽度为12nsec以上。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池模组的制造方法,其中:
所述基板为包含所述碱金属的玻璃基板,
在所述碱金属添加步骤中,使所述玻璃基板中的所述碱金属扩散至所述里面电极层。
6.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池模组的制造方法,其中:
在所述光吸收层成膜步骤中,进行添加了所述碱金属的光吸收层的成膜,
在所述碱金属添加步骤中,使所述光吸收层中所添加了的所述碱金属扩散至所述里面电极层。
7.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池模组的制造方法,其中:
在所述碱金属添加步骤中,向所述里面电极层直接添加所述碱金属。
8.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池模组的制造方法,还具有:
形成分割所述里面电极层的第2分割沟,并在所述第2分割沟内使所述基板的表面露出的步骤;及
形成分割所述光吸收层及所述透明导电膜的第3分割沟,并在所述第3分割沟内使所述里面电极层的表面露出,以及,形成将由所述分割沟、所述第2分割沟、及所述第3分割沟所分割的多个单元进行串联的结构的步骤。
9.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池模组的制造方法,其中:
所述里面电极层包含钼(Mo)。
10.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池模组的制造方法,其中:
所述光吸收层至少含有铜(Cu)、铟(In)、及硒(Se)。
11.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池模组的制造方法,其中:
所述光吸收层至少含有铜(Cu)、锌(Zn)、锡(Sn)、及硫属元素(硒(Se)或硫黄(S))。
12.一种薄膜太阳电池模组,具有:
基板;
在所述基板上被成膜的里面电极层;
在所述里面电极层上被成膜的光吸收层;
对所述光吸收层进行分割,并使所述里面电极层的表面露出的分割沟;及
在所述光吸收层上及所述分割沟内被成膜的透明导电膜,
其中,
所述里面电极层中添加了碱金属,
在所述分割沟内露出的所述里面电极层的表面,形成了所述里面电极层和所述碱金属的合金。
13.根据权利要求12所述的薄膜太阳电池模组,其中:
所述碱金属为钠(Na)。
14.根据权利要求12所述的薄膜太阳电池模组,其中:
所述里面电极层含有钼(Mo)。
15.根据权利要求12所述的薄膜太阳电池模组,其中:
所述光吸收层至少含有铜(Cu)、铟(In)、及硒(Se)。
16.根据权利要求12所述的薄膜太阳电池模组,其中:
所述光吸收层至少含有铜(Cu)、锌(Zn)、锡(Sn)、及硫属元素(硒(Se)或硫黄(S))。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和砚壳石油株式会社,未经昭和砚壳石油株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280057822.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种洗泥机
- 下一篇:一种能同时测量加速度、速度、位移的振动传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的