[发明专利]半导体封装件及其制造方法有效
申请号: | 201280057767.7 | 申请日: | 2012-10-29 |
公开(公告)号: | CN103959450A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 塚田谦磁;藤田政利;铃木雅登;川尻明宏;杉山和裕;桥本良崇 | 申请(专利权)人: | 富士机械制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L33/62 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 穆德骏;谢丽娜 |
地址: | 日本爱知*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装件,在形成于搭载部件的元件搭载凹部内搭载半导体元件,并通过配线将该半导体元件侧的电极部与该搭载部件侧的电极部之间连接,所述半导体封装件的特征在于,
在所述元件搭载凹部内的所述半导体元件周围的间隙中填充绝缘性树脂,由该绝缘性树脂形成该半导体元件侧的电极部与所述搭载部件侧的电极部之间的配线路径,
在所述配线路径上横跨所述半导体元件侧的电极部和所述搭载部件侧的电极部而形成疏液性的底涂树脂层,
将导电性的油墨喷出或印刷到所述底涂树脂层上而形成所述配线,通过该配线将所述半导体元件侧的电极部与所述搭载部件侧的电极部之间连接。
2.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,
所述半导体元件是发光元件,
所述绝缘性树脂是透明的绝缘性树脂,
所述底涂树脂层通过利用液滴喷出法将底涂树脂墨喷出到所述绝缘性树脂上而形成为线状或带状。
3.如权利要求1或2所述的半导体元件,其特征在于,
所述底涂树脂层形成为比所述配线的线宽粗、且粗了与制造偏差相当的值以上的线宽,以防止所述配线超出该底涂树脂层。
4.一种半导体封装件的制造方法,该半导体封装件在形成于搭载部件的元件搭载凹部内搭载半导体元件,并通过配线将该半导体元件侧的电极部与该搭载部件侧的电极部之间连接,所述半导体封装件的制造方法的特征在于,包括如下工序:
在所述元件搭载凹部内搭载所述半导体元件;
在所述元件搭载凹部内的所述半导体元件周围的间隙中填充绝缘性树脂,由该绝缘性树脂形成该半导体元件侧的电极部与所述搭载部件侧的电极部之间的配线路径;
在所述配线路径上横跨所述半导体元件侧的电极部和所述搭载部件侧的电极部而形成疏液性的底涂树脂层;及
将导电性的油墨喷出或印刷到所述底涂树脂层上而形成所述配线,通过该配线将所述半导体元件侧的电极部与所述搭载部件侧的电极部之间连接。
5.一种半导体封装件,在搭载部件上搭载半导体元件,并通过配线将该半导体元件侧的电极部与该搭载部件侧的电极部之间连接,所述半导体封装件的特征在于,
在所述搭载部件上的所述半导体元件的周围设置绝缘性树脂而形成该搭载部件上的该半导体元件侧的电极部与该搭载部件侧的电极部之间的配线路径的基底树脂层,
在所述配线路径的基底树脂层上形成具有阻气性的中间绝缘层,
将导电性的油墨喷出或印刷到所述中间绝缘层上、或者在所述中间绝缘层上安装固体状的导电部件而形成所述配线的图案并进行烧固。
6.如权利要求5所述的半导体封装件,其特征在于,所述基底树脂层通过在所述搭载部件上的所述半导体元件周围喷出流动性的绝缘性树脂并使该绝缘性树脂固化而形成,或者通过安装固体状的绝缘部件而形成。
7.如权利要求5或6所述的半导体封装件,其特征在于,
所述半导体元件是发光元件,
所述绝缘性树脂是透明的绝缘性树脂,
所述中间绝缘层通过将具有阻气性的绝缘性油墨喷出或印刷到所述配线路径的基底树脂层上而形成为线状或带状。
8.如权利要求5~7中任一项所述的半导体封装件,其特征在于,
所述中间绝缘层形成为比所述配线的线宽粗、且粗了与制造偏差相当的值以上的线宽,以防止所述配线超出该中间绝缘层。
9.如权利要求5~7中任一项所述的半导体封装件,其特征在于,
所述中间绝缘层形成在所述中间绝缘层的整个上表面上。
10.一种半导体封装件的制造方法,该半导体封装件在搭载部件上搭载半导体元件,并通过配线将该半导体元件侧的电极部与该搭载部件侧的电极部之间连接,所述半导体封装件的制造方法的特征在于,包括如下工序:
在所述搭载部件上搭载所述半导体元件;
在所述搭载部件上的所述半导体元件的周围设置绝缘性树脂而形成该半导体元件侧的电极部与所述搭载部件侧的电极部之间的配线路径的基底树脂层;
在所述配线路径的基底树脂层上形成具有阻气性的中间绝缘层;及
将导电性的油墨喷出或印刷到所述中间绝缘层上、或者在所述中间绝缘层上安装固体状的导电部件而形成所述配线的图案并进行烧固。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造