[发明专利]衬底保持器的辐射屏蔽件有效
申请号: | 201280057542.1 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN104081513A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | E·谢罗;M·哈平;J·温克勒 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李丹丹 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 保持 辐射 屏蔽 | ||
相关申请的交互参照
本申请要求对2011年11月23日提交的美国专利临时申请No.61/563,428的优先权益,本文以参见方式引入其披露内容。
背景技术
在衬底处理工具中加热正在处理的衬底会是困难的。衬底加热中的变化可导致衬底内温度变化。如此的衬底内温度变化可导致衬底内处理的不均匀性。在某些设置中,呈现如此不均匀性的衬底可产生有缺陷的器件。此外,沉淀产物可沉淀在下部处理腔室中,导致反应腔室内温度降低,因此,为克服不充分的加热而增加了能耗。此外,沉淀产物在腔室内积聚可导致需要过早清洁腔室并增加成本。
发明内容
本发明的各方面涉及用于处理衬底的反应腔室。在一个方面,反应腔室包括定位在反应腔室内的衬底支承构件,反应腔室具有第一区域和第二区域、定位在第二区域内并可随衬底支承构件移动的屏蔽件,其中,屏蔽件邻近于衬底支承构件的至少底部表面。
在一种实施方式中,屏蔽件可邻近于衬底支承构件的侧壁。第一区域可以是衬底处理区域,而第二区域可以是衬底加载区域。第一区域可在反应腔室中定位在第二区域上方。反应腔室还可包括至少部分地分离第一和第二区域的隔离装置。反应腔室还可包括形成在屏蔽件和隔离装置之间的间隙。间隙可在5和10mm之间。屏蔽可与衬底支承构件间距的距离在5和20mm之间。
屏蔽件还可包括底部构件和侧壁构件。底部构件和侧壁构件可以近似为90度的角度彼此连接。底部构件和侧壁构件可彼此连接成近似为25和65度之间的角度。屏蔽件可固定到衬底支承构件的轴上。屏蔽件可保持住衬底支承构件所产生的热量。衬底支承构件还可包括加热器。
在另一方面,用于处理衬底的屏蔽件可包括具有包围衬底支承构件轴的孔的底部构件、向上延伸与底部构件交角的侧壁构件,其中,底部构件定位在衬底支承构件上方,而侧壁构件围绕衬底支承构件定位,且其中,屏蔽件随衬底支承构件垂直地移动。
在一种实施方式中,屏蔽件可与衬底支承构件间距开距离为5和20mm之间。屏蔽件的侧壁构件可避免与反应腔室壁接触。侧壁还可包括与反应腔室表面间距开的顶表面,间距距离近似在5和10mm之间。
在另一方面,反应腔室可包括第一区域、第二区域和第三区域,第一区域定位在第二区域和第三区域上方,并适于处理衬底,第二区域定位在第一区域下方并适于将衬底加载在反应腔室内,第三区域定位在第一区域和第二区域之间,且其中,第三区域可在第二区域内移动。
在一种实施方式中,反应腔室还可包括屏蔽件,该屏蔽件形成第二区域和第三区域之间的屏障。屏蔽件可在第二区域内移动。第三区域的体积根据衬底支承构件的位置变化。
在还有另一种方面,对处理区域内的衬底加热的方法包括:提供衬底支承构件下方的处理腔室内的屏蔽件,将衬底加载到处理腔室的处理区域内,致动一加热器,以及从屏蔽件辐射热量到衬底支承构件。
在一种实施方式中,该方法还可包括将衬底支承构件从加载位置移动到处理位置的步骤。该方法还可包括监控衬底支承构件和屏蔽件之间内腔温度的步骤。
以下在附图和详细描述中,对这里给出的本发明的各个方面和实施方式进行描述。除非有具体指出,本说明书和权利要求书中的词语,对于本技术领域内的技术人员来说都是平常、普通和惯常的含义。发明人完全知道,如果需要的话,则他们可以自己是辞典编纂者。发明人自己作为编纂者专门作出选择,除非发明人清楚地另有所述,然后进一步阐述该术语的“特殊”定义,并解释它如何不同于平淡和普通的含义,否则在说明书和权利要求书中只使用术语的平淡和普通的含义。没有如此清楚陈述的意图来应用“特殊”定义,正是发明人的意图和愿望,用术语的简单、平淡和普通的含义来诠释说明书和权利要求书。
发明人还知道英语语法的一般规则。因此,如果一个名词、术语或词语用来进一步表示特征、规定或某种方式的狭义化,则根据英语语法的一般规则,如此的名词、术语或词语将清楚地包括附加的形容词、描述性术语或其他修饰语。不使用如此的形容词、描述性术语或其他修饰语,对于本技术领域内技术人员,如上所述地,给予如此的名词、术语或词语以平淡的和普通的英语含义正是发明人的意图。
从详细描述和附图以及从权利要求书中,本技术领域内的技术人员将会明白上述的和其他的方面、特征和优点。
附图说明
下面将结合附图来描述本发明的实施例,其中,相同的附图标记表示相同的元件,以及:
图1示意地示出衬底处理腔室,其包括处于衬底加载位置中的根据本发明实施例的辐射屏蔽件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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