[发明专利]包括多个排气端口的基板处理装置及方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置，尤其涉及一种包括多个排气端口的基板处理装置及方法。

背景技术

常用的选择性外延工艺(selective epitaxy process)伴随沉积反应及蚀刻反应。沉积及蚀刻反应对多晶层及外延层以相对不同的反应速度同时发生。沉积工艺中，在至少一个第二层上，在现有的多晶层及/或非晶层沉积的期间，外延层在单晶表面上形成。但是沉积的多晶层一般比外延层以更快的速度蚀刻。因此，通过改变腐蚀气体的浓度，网状选择性工艺(net selective process)可以实现外延材料的沉积、和受限或不受限的多晶材料的沉积。例如，选择性外延工艺可以实现，沉积物不残留在垫片上并在单晶硅表面上形成含硅材料的外延层(epilayer)。

选择性外延工艺一般具有几个缺点。在这种外延工艺中，前驱体的化学浓度及反应温度在沉积工艺上进行调节及调整，以保持选择性。若供应不充足的硅前驱体，则使蚀刻反应活化而导致整体工艺迟缓。另外，会对基板表面的蚀刻产生不利影响。若供应不充足的腐蚀液前驱体，则会使沉积反应在整个基板表面上形成单晶及多晶材料的选择性(selectivity)减少。另外，常用的选择性外延工艺一般需要高反应温度如约800℃、约1000℃、或更高的温度。这种高温会使得在基板表面产生不被控制的氮化反应及热移动(thermal budge)，因此在制造工艺中并不优选。

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于提供一种能够有效地处理载置空间及排气空间的排气的基板处理装置及方法。

本发明的另一目的在于提供一种能够防止在下部腔室内沉积反应性气体的基板处理装置及方法。

本发明的其他目的可以通过下述详细的说明和附图进一步明确。

解决课题的方法

根据本发明一实施方案，一种用于实现对基板的工艺的基板处理装置，其包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有用于使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中打开的上部，并提供实现所述工艺的工艺空间；基板支架，其以上下方向载置一个以上的所述基板，并可以转换到在所述基板支架内载置所述基板的载置位置、或对所述基板实现所述工艺的工艺位置；一个以上的供应喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于喷出所述反应性气体的供应口；一个以上的排气喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于吸入所述工艺空间内的未反应性气体及反应副产物的排气口；以及后端排气线，其与所述排气喷嘴连接，并用于排出通过所述排气口吸入的所述未反应性气体及所述反应副产物，所述下部腔室具有：排气端口，其用于连接所述排气喷嘴和所述后端排气线；和辅助排气端口，其用于将形成在所述下部腔室内部的载置空间连接于所述后端排气线。

所述基板支架可以在所述载置位置位于所述载置空间内，并在所述工艺位置位于所述工艺空间内。

所述基板处理装置可以进一步包括：辅助排气线，其与所述辅助排气端口连接；和第一辅助排气阀，其用于开闭所述辅助排气线，所述第一辅助排气阀在进行工艺前打开所述辅助排气线而对所述载置空间的内部进行排气。

所述基板处理装置可以进一步包括：辅助排气线，其与所述辅助排气端口连接；第一辅助排气阀，其用于开闭所述辅助排气线；前端排气线，其用于连接所述排气端口和所述后端排气线；泵，其设置在所述前端排气线上，并用于对所述前端排气线的内部进行抽气；主排气阀，其设置在所述前端排气线上，并用于开闭所述前端排气线；第二辅助排气阀，其设置在所述第一辅助排气阀的后端，并用于开闭所述辅助排气线；连接线，其用于连接所述辅助排气线和所述前端排气线，且一端连接于所述第一辅助排气阀和第二辅助排气阀之间而另一端连接于所述泵的前端；以及连接阀，其设置在所述连接线上，并用于开闭所述连接线，在进行工艺前，所述第一辅助排气阀、所述连接阀、及主排气阀呈打开状态，所述第二辅助排气阀呈关闭状态。