[发明专利]包括多个排气端口的基板处理装置及方法有效
| 申请号: | 201280056561.2 | 申请日: | 2012-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN103946955B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
| 发明(设计)人: | 梁日光;诸成泰;宋炳奎;金龙基;金劲勋;申良湜 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20 |
| 代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人: | 杨勇,郑建晖 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 排气 端口 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其用于实现对基板的工艺,其特征在于,所述基板处理装置包括:
下部腔室,其上部打开,并在一侧形成有用于使所述基板进出的通道;
外部反应管,其用于关闭所述下部腔室中打开的上部,并提供实现所述工艺的工艺空间;
基板支架,其以上下方向载置一个以上的所述基板,基板支架可以转换到载置所述基板的载置位置、或对所述基板实现所述工艺的工艺位置;
一个以上的供应喷嘴,其沿着所述外部反应管的内壁配置,并具有用于喷出反应性气体的供应口;
一个以上的排气喷嘴,其沿着所述外部反应管的内壁配置,并具有用于吸入所述工艺空间内的未反应性气体及反应副产物的排气口;以及
后端排气线,其与所述排气喷嘴连接,并用于排出通过所述排气口吸入的所述未反应性气体及所述反应副产物,
所述下部腔室具有:排气端口,其用于连接所述排气喷嘴和所述后端排气线;和辅助排气端口,其用于将形成在所述下部腔室的内部的载置空间连接于所述后端排气线。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板支架在所述载置位置位于所述载置空间内,并在所述工艺位置位于所述工艺空间内。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置进一步包括:辅助排气线,其与所述辅助排气端口连接;和第一辅助排气阀,其用于开闭所述辅助排气线,
所述第一辅助排气阀在进行工艺前打开所述辅助排气线而对所述载置空间的内部进行排气。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置进一步包括:
辅助排气线,其与所述辅助排气端口连接;
第一辅助排气阀,其用于开闭所述辅助排气线;
前端排气线,其用于连接所述排气端口和所述后端排气线;
泵,其设置在所述前端排气线上,并用于对所述前端排气线的内部进行抽气;
主排气阀,其设置在所述前端排气线上,并用于开闭所述前端排气线;
第二辅助排气阀,其设置在所述第一辅助排气阀的后端,并用于开闭所述辅助排气线;
连接线,其用于连接所述辅助排气线和所述前端排气线,且一端连接于所述第一辅助排气阀和第二辅助排气阀之间而另一端连接于所述泵的前端;以及
连接阀,其设置在所述连接线上,并用于开闭所述连接线,
在进行工艺前,所述第一辅助排气阀、所述连接阀、及主排气阀呈打开状态,所述第二辅助排气阀呈关闭状态。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置进一步包括:
辅助排气线,其与所述辅助排气端口连接;
第一辅助排气阀,其用于开闭所述辅助排气线;
前端排气线,其用于连接所述排气端口和所述后端排气线;
泵,其设置在所述前端排气线上,并用于对所述前端排气线的内部进行抽气;
主排气阀,其设置在所述前端排气线上,并用于开闭所述前端排气线;
第二辅助排气阀,其设置在所述第一辅助排气阀的后端,并用于开闭所述辅助排气线;
连接线,其用于连接所述辅助排气线和所述前端排气线,且一端连接于所述第一辅助排气阀和第二辅助排气阀之间而另一端连接于所述泵的前端;以及
连接阀,其设置在所述连接线上,并用于开闭所述连接线,
在进行工艺时,所述第一及第二辅助排气阀、主排气阀呈打开状态,所述连接阀呈关闭状态。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述载置空间的压力比所述工艺空间的压力更高。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社EUGENE科技,未经株式会社EUGENE科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280056561.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种学校水房智能供水系统
- 下一篇:烹饪控制方法及装置、电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





