[发明专利]真空处理装置有效
申请号: | 201280055610.0 | 申请日: | 2012-10-09 |
公开(公告)号: | CN103930985B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 大森美纪;岩井治宪;立野勇一;久保昌司 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C16/458 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 朱美红,李婷 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 | ||
1.一种真空处理装置,其特征在于,
具有:
真空槽;
载置台,在台载置面上载置基板,所述台载置面朝向上方且配置于上述真空槽内;
凹陷,设在上述台载置面上;
贯通孔,设在上述载置台上,开口在上述凹陷的内部表面上露出;
升降销,被插入到上述贯通孔中,上端连接在上述盖部件上;
升降装置,使上述升降销升降移动;和
盖部件,设在上述升降销的上端,通过由上述升降装置进行的上述升降销的升降移动,能够在上述凹陷的内部的位置与比上述凹陷靠上方的位置之间升降移动;
在上述凹陷的上述内部表面上,设有将上述开口以环状包围的环状的密封部件;
通过上述升降销的下降移动,上述盖部件中上述盖部件的背面和上述凹陷的上述内部表面与上述密封部件接触,上述密封部件被推压而变形;
上述盖部件在上述盖部件与上述密封部件接触的部分、和上述凹陷的上述内部表面与上述密封部件接触的部分将上述开口分别以环状包围的状态下,配置在上述凹陷的内部。
2.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于,
具有弹性部件,当上述密封部件被推压时,上述弹性部件变形,通过使变形复原的力推压上述密封部件。
3.如权利要求1或2所述的真空处理装置,其特征在于,
上述盖部件的背面和上述凹陷的上述内部表面构成为,在比上述凹陷和上述盖部件接触在上述密封部件上的位置靠上方以环状接触。
4.如权利要求1~3中任一项所述的真空处理装置,其特征在于,
在上述凹陷的上述内部表面的底面中,具有边缘部,所述边缘部为将上述开口以环状包围的部分;上述密封部件配置在上述边缘部上;上述密封部件与上述盖部件的上述背面接触。
5.如权利要求1~4中任一项所述的真空处理装置,其特征在于,
具有缓冲部件;
如果上述升降销上升,则通过上述升降销经由上述缓冲部件使上述盖部件向上方移动。
6.如权利要求1~5中任一项所述的真空处理装置,其特征在于,
如果使上述升降销下降,则上述弹性部件被压缩。
7.如权利要求1~5中任一项所述的真空处理装置,其特征在于,
如果使上述升降销下降,则上述弹性部件被拉伸。
8.如权利要求1~7中任一项所述的真空处理装置,其特征在于,
使上述凹陷的侧面成为朝向上方的倾斜。
9.如权利要求1~8中任一项所述的真空处理装置,其特征在于,
上述盖部件的材质与上述载置台的材质相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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