[发明专利]阻气膜和阻气膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及阻气膜和阻气膜的制造方法。尤其涉及具有优异的阻气性的阻气膜及这种阻气膜的制造方法。

背景技术

以往，提出了一种作为有机EL元件用玻璃基板的代替品的、以具有优异的阻气性且制造时间短为特征的阻气膜的制造方法等(例如，参照专利文献1)。

更具体而言，一种阻气膜的制造方法等，其特征在于，对在基材上的至少一面涂布含有全氢聚硅氮烷的液体并将其加热干燥而成的聚硅氮烷膜实施常压等离子体处理或真空等离子体处理，形成作为水蒸气阻挡性的指标的WVTR为1g/(m²·天)以下且厚度0.01～5μm的阻气膜。

另外，提出了作为适用于有机光电转换元件用树脂基材的、具备具有极高阻气性的硅氧化物薄膜的阻气膜的制造方法(例如，参照专利文献2)。

更具体而言，一种阻气膜的制造方法，其特征在于，在基材上的至少一面涂布含有硅的液体，在20～120℃干燥形成硅薄膜后，利用使用了有机硅化合物和含有氧的反应性气体的等离子体CVD法，在硅薄膜上形成硅氧化物薄膜。

另外，提出了阻气性不降低且透明性优异的具备含碳氧化硅膜的阻气膜(例如，参照专利文献3)。

更具体而言，一种阻气膜，其特征在于，在基材膜上的至少一面形成膜厚为5～300nm的含碳氧化硅膜，含碳氧化硅膜的碳原子(C)与硅原子(Si)的组成比(C/Si)为大于0且小于等于1的范围，并且着色度(YI)为1.0～5.0的范围。

进而，为了提供透射率和色味优异的阻气膜，提出了具备硅量、氧量以及氮量不同的区域A、B、C的阻气膜及其制造方法(例如，参照专利文献4)。

更具体而言，一种阻气膜，是包含氧量多于氮量的区域A和氮量多于氧量的区域B而且在这些区域A和区域B之间包含区域A的氧量缓慢减少的同时氮量朝向区域B缓慢增加的区域C而成的阻气膜，在基材膜上朝向表面，按区域ACB、区域BCA、或区域ACBCA的顺序配置各区域。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007－237588号公报

专利文献2：日本特开2011－26645号公报

专利文献3：日本特开2010－158832号公报

专利文献4：日本特开2009－196155号公报

发明内容

然而，根据专利文献1公开的阻气膜的制造方法，虽然对聚硅氮烷膜进行常压等离子体处理或真空等离子体处理，但由于完全没考虑到等离子体处理后的阻挡层，因此可发现阻气性仍低或阻气性不均等问题。

另外，根据专利文献2公开的阻气膜的制造方法，必须利用等离子体CVD法在规定的硅薄膜(聚硅氮烷膜等)上形成更多种类的硅氧化物薄膜。

因此，能发现以下问题：难以使阻气膜薄膜化、连续制膜，或在作为基底的硅薄膜和利用等离子体CVD法而成的硅氧化物薄膜之间密合性不足。

另外，在专利文献3中公开的阻气膜及其制造方法中，可发现以下问题：阻气性仍低、阻气性不均、并且耐久性等不足。

另外，对于专利文献4公开的阻气膜及其制造方法，由于在多层结构的局部包含氮量多于氧量的区域B，所以可发现以下问题：得到的阻气膜着色、其透明性容易降低。

另外，由于反复进行多个成膜步骤形成各区域A～C，所以可发现以下问题：制造工序复杂、生产率差、并且阻气性仍不充分。

因此，本发明的发明人等进行了深入研究，结果发现对于在基材上形成阻气层而成的阻气膜，通过朝向该阻气层地具有至少含有氧原子、硅原子、氮原子且利用XPS测定而测得的组成不同的多个区域，从而得到阻气性极其优异且不易着色的透明性优异的阻气膜，由此完成了本发明。

即，本发明的目的在于提供阻气性优异的阻气膜及能够有效地得到这种阻气膜的阻气膜制造方法。

根据本发明，能够提供一种阻气膜，从而能够解决现有问题点。其特征在于，是在基材上形成阻气层而成的阻气膜，阻气层至少含有氧原子、硅原子、氮原子，将阻气层的与基材相接的面作为基材侧、将其相反面作为表面侧时，从表面侧朝向基材侧包含利用XPS测定而测得的氮量、硅量以及氧量成为以下顺序的区域:

按氧量＞硅量＞氮量的顺序形成的第1区域，

按硅量＞氧量＞氮量的顺序形成的第2区域，和

按氧量＞硅量＞氮量的顺序形成的第3区域。

即，根据本发明，不具有氮量多于氧量的区域而包含利用XPS测定而测得的阻气层中的氮量、硅量以及氧量满足规定关系的第1区域～第3区域，由此能够得到阻气性优异的阻气膜。