[发明专利]阻气膜和阻气膜的制造方法

权利要求书

1.一种阻气膜，其特征在于，是在基材上形成阻气层而成的阻气膜，

所述阻气层至少含有氧原子、硅原子、氮原子，将阻气层的与基材相接的面作为基材侧、将其相反面作为表面侧时，从所述表面侧朝向所述基材侧包含利用XPS测定而测得的阻气层中的氮量、硅量以及氧量成为以下关系的区域，

成为氧量＞硅量＞氮量的关系的第1区域，

成为硅量＞氧量＞氮量的关系的第2区域，和

成为氧量＞硅量＞氮量的关系的第3区域。

2.根据权利要求1所述的阻气膜，其特征在于，所述第1区域中，相对于氮量、硅量以及氧量的总计量100mol％，利用XPS测定而测得的氮量为0.1～10mol％范围内的值，硅量为25～49.9mol％范围内的值，氧量为50～74mol％范围内的值。

3.根据权利要求1或2所述的阻气膜，其特征在于，所述第2区域中，相对于氮量、硅量以及氧量的总计量100mol％，利用XPS测定而测得的氮量为0.3～30mol％范围内的值，硅量为25～50mol％范围内的值，氧量为20～70mol％范围内的值。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的阻气膜，其特征在于，所述第3区域中，相对于氮量、硅量以及氧量的总计量100mol％，利用XPS测定而测得的氮量为0.1～10mol％范围内的值，硅量为25～49.9mol％范围内的值，氧量为50～74mol％范围内的值。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的阻气膜，其特征在于，所述第1区域中，从所述表面侧朝向所述基材侧，氧量减少，并且硅量和氮量分别增加。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的阻气膜，其特征在于，所述第2区域中，从所述表面侧朝向所述基材侧，具有氧量减少后增加的极小点，并且具有硅量和氮量分别增加后减少的极大点。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的阻气膜，其特征在于，所述第3区域中，从所述表面侧朝向所述基材侧，氧量增加并且硅量和氮量分别减少。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的阻气膜，其特征在于，

所述第1区域的折射率为低于1.5的范围内的值，

所述第2区域的折射率为1.5以上的值，

所述第3区域的折射率为低于1.5的值。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的阻气膜，其特征在于，

所述第1区域的膜密度为低于2.30g/cm³的值，

所述第2区域的膜密度为2.30g/cm³以上的值，

所述第3区域的膜密度为低于2.30g/cm³的值。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的阻气膜，其特征在于，

所述第1区域的膜厚为1～10nm的范围内的值，

所述第2区域的膜厚为5～30nm的范围内的值，

所述第3区域的膜厚为20～200nm的范围内的值。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的阻气膜，其特征在于，水蒸气透过率在40℃、90％RH的环境下为0.5g/(cm²·天)，黄色度YI为0～7的值。

12.一种阻气膜的制造方法，其特征在于，是在基材上形成阻气层而成的阻气膜的制造方法，包括下述工序(1)和工序(2)，

(1)聚硅氮烷层形成工序，即在基材上形成聚硅氮烷层，

(2)等离子体离子注入工序，即向得到的聚硅氮烷层注入等离子体离子，形成如下阻气层：将阻气层的与基材相接的面作为基材侧、将其相反面作为表面侧时，从所述表面侧朝向所述基材侧包含利用XPS测定而测得的阻气层中的氮量、硅量以及氧量成为以下关系的区域，

成为氧量＞硅量＞氮量的顺序的第1区域，

成为硅量＞氧量＞氮量的顺序的第2区域，和

成为氧量＞硅量＞氮量的顺序的第3区域。

13.根据权利要求12所述的阻气膜的制造方法，其特征在于，在所述工序(1)与所述工序(2)之间包含对形成有所述聚硅氮烷层的基材进行风干的风干工序。

14.根据权利要求13所述的阻气膜的制造方法，其特征在于，所述风干工序的风干条件为温度15～35℃、24～480小时的范围内的值。

15.根据权利要求12～14中任一项所述的阻气膜的制造方法，其特征在于，所述工序(2)中，使用氧、氮、氖、氦、氩及氪中的至少1个作为所述等离子体离子。