[发明专利]利用碱土金属减少杂质掺入III-族氮化物晶体无效
申请号: | 201280052441.5 | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN104024152A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | S·皮姆普特卡;P·M·范多伦;J·S·司倍克;S·纳卡姆拉 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚大学董事会 |
主分类号: | C01B21/06 | 分类号: | C01B21/06;C30B7/00;B01D9/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 碱土金属 减少 杂质 掺入 iii 氮化物 晶体 | ||
相关文献的交叉引用
本申请按照35U.S.C.部分119(e)的规定要求Siddha Pimputkar、Paul von Dollen、James S.Speck和Shuji Nakamura在2011年10月24日提交的题为“USE OF ALKALINE-EARTH METALS TO REDUCE IMPURITY INCORPORATION INTO A GROUP III NITRIDE CRYSTAL GROWN USING THE AMMONOTHERMAL METHOD,”的美国临时申请系列号61/550,742、代理人案卷号为30794.433-US-P1(2012-236-1)的权益,在此通过引用将其申请并入本文。
本申请涉及以下共同待决和共同转让申请:
Siddha Pimputkar、Derrick S.Kamber、James S.Speck和Shuji Nakamura于2011年5月6日提交的美国专利申请系列号13/128,092,题为“USING BORON-CONTAINING COMPOUNDS,GASSES AND FLUIDS DURING AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP III NITRIDE CRYSTALS,”,代理人案卷号30794.300-US-WO(2009-288-2),该申请按照35U.S.C.部分365(c)的规定要求Siddha Pimputkar、Derrick S.Kamber、James S.Speck和Shuji Nakamura于2009年11月4日提交的P.C.T.国际专利申请系列号PCT/US2009/063233、题为“USING BORON-CONTAINING COMPOUNDS,GASSES AND FLUIDS DURING AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP III NITRIDE CRYSTALS、代理人案卷号30794.300-WO-U1(2009-288-2)的权益,该申请按照35U.S.C.部分119(e)的规定要求Siddha Pimputkar、Derrick S.Kamber、James S.Speck和Shuji Nakamura于2008年11月7日提交的美国临时申请系列号61/112,550,题为“USING BORON-CONTAINING COMPOUNDS,GASSES AND FLUIDS DURING AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP III NITRIDE CRYSTALS,”、代理人案卷号30794.300-US-P1(2009-288-1)的权益;
Siddha Pimputkar和James S.Speck于2013年7月13日提交的题为“GROWTH OF BULK GROUP III NITRIDE CRYSTALS AFTER COATING THEM WITH A GROUP-III METAL AND AN ALKALI METAL,”的美国专利申请系列号13/549,188、代理人案卷号30794.420-US-U1(2012-021-2),该申请按照35U.S.C.部分119(e)的规定要求Siddha Pimputkar和James S.Speck于2011年7月13日提交的美国临时申请系列号61/507,182、题为“GROWTH OF BULK GROUP III NITRIDE CRYSTALS AFTER COATING THEM WITH A GROUP-III METAL AND AN ALKALI METAL,”代理人案卷号30794.420-US-P1(2012-021-1)的权益;以及
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