[发明专利]利用碱土金属减少杂质掺入III-族氮化物晶体无效

专利信息
申请号: 201280052441.5 申请日: 2012-10-24
公开(公告)号: CN104024152A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: S·皮姆普特卡;P·M·范多伦;J·S·司倍克;S·纳卡姆拉 申请(专利权)人: 加利福尼亚大学董事会
主分类号: C01B21/06 分类号: C01B21/06;C30B7/00;B01D9/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 利用 碱土金属 减少 杂质 掺入 iii 氮化物 晶体
【说明书】:

相关文献的交叉引用

本申请按照35U.S.C.部分119(e)的规定要求Siddha Pimputkar、Paul von Dollen、James S.Speck和Shuji Nakamura在2011年10月24日提交的题为“USE OF ALKALINE-EARTH METALS TO REDUCE IMPURITY INCORPORATION INTO A GROUP III NITRIDE CRYSTAL GROWN USING THE AMMONOTHERMAL METHOD,”的美国临时申请系列号61/550,742、代理人案卷号为30794.433-US-P1(2012-236-1)的权益,在此通过引用将其申请并入本文。

本申请涉及以下共同待决和共同转让申请:

Siddha Pimputkar、Derrick S.Kamber、James S.Speck和Shuji Nakamura于2011年5月6日提交的美国专利申请系列号13/128,092,题为“USING BORON-CONTAINING COMPOUNDS,GASSES AND FLUIDS DURING AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP III NITRIDE CRYSTALS,”,代理人案卷号30794.300-US-WO(2009-288-2),该申请按照35U.S.C.部分365(c)的规定要求Siddha Pimputkar、Derrick S.Kamber、James S.Speck和Shuji Nakamura于2009年11月4日提交的P.C.T.国际专利申请系列号PCT/US2009/063233、题为“USING BORON-CONTAINING COMPOUNDS,GASSES AND FLUIDS DURING AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP III NITRIDE CRYSTALS、代理人案卷号30794.300-WO-U1(2009-288-2)的权益,该申请按照35U.S.C.部分119(e)的规定要求Siddha Pimputkar、Derrick S.Kamber、James S.Speck和Shuji Nakamura于2008年11月7日提交的美国临时申请系列号61/112,550,题为“USING BORON-CONTAINING COMPOUNDS,GASSES AND FLUIDS DURING AMMONOTHERMAL GROWTH OF GROUP III NITRIDE CRYSTALS,”、代理人案卷号30794.300-US-P1(2009-288-1)的权益;

Siddha Pimputkar和James S.Speck于2013年7月13日提交的题为“GROWTH OF BULK GROUP III NITRIDE CRYSTALS AFTER COATING THEM WITH A GROUP-III METAL AND AN ALKALI METAL,”的美国专利申请系列号13/549,188、代理人案卷号30794.420-US-U1(2012-021-2),该申请按照35U.S.C.部分119(e)的规定要求Siddha Pimputkar和James S.Speck于2011年7月13日提交的美国临时申请系列号61/507,182、题为“GROWTH OF BULK GROUP III NITRIDE CRYSTALS AFTER COATING THEM WITH A GROUP-III METAL AND AN ALKALI METAL,”代理人案卷号30794.420-US-P1(2012-021-1)的权益;以及

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