[发明专利]利用碱土金属减少杂质掺入III-族氮化物晶体

权利要求书

1.生长晶体的方法，包括：

(a)将源材料和一种或多种晶种置于容器内；

(b)将所述容器填充有溶剂以溶解所述源材料并且转移所述溶解的源材料至所述晶种，用于生长所述晶体；以及

(c)于所述容器内使用含有碱土的材料以减少杂质掺入所述晶体。

2.权利要求1所述的方法，其中所述源材料包括含有III-族的源材料，所述晶种包括任何准单晶体，所述溶剂包括含氮溶剂，并且所述晶体包括III-族氮化物晶体。

3.权利要求1所述的方法，其中所述杂质为在所述容器内的含氧材料。

4.权利要求1所述的方法，其中所述杂质为一种或多种碱金属。

5.权利要求1所述的方法，其中所述含有碱土的材料被使用以改变或增加所述源材料或晶种在所述溶剂中的溶解性。

6.权利要求1所述的方法，其中所述含有碱土的材料包括：金属铍、金属镁、金属钙、金属锶、氮化铍、氮化镁、氮化钙、氮化锶、氢化铍、氢化镁、氢化钙、氢化锶、酰胺铍、酰胺镁、酰胺钙、或酰胺锶。

7.通过权利要求1所述的方法生长的晶体。

8.用以生长晶体的装置，包括：

(a)容器，用于容纳源材料和晶种，

(b)其中所述容器填充有溶解所述源材料的溶剂，且所述溶解的源材料被转移至所述晶种，用于所述晶体的生长；以及

(c)其中于容器内使用含有碱土的材料以减少杂质掺入所述晶体。

9.权利要求8所述的装置，所述源材料包括含有III-族的源材料，所述晶种包括任何准单晶体，所述溶剂包括含氮溶剂，并且所述晶体包括III-族氮化物晶体。

10.权利要求8所述的装置，其中所述杂质为容器内的含氧材料。

11.权利要求8所述的装置，其中所述杂质为一种或多种碱金属。

12.权利要求8所述的装置，其中所述含有碱土的材料被使用以改变或增加所述源材料或晶种在所述溶剂中的溶解性。

13.权利要求8所述的装置，其中所述含有碱土的材料包括：金属铍、金属镁、金属钙、金属锶、氮化铍、氮化镁、氮化钙、氮化锶、氢化铍、氢化镁、氢化钙、氢化锶、酰胺铍、酰胺镁、酰胺钙、或酰胺锶。