[发明专利]半导体装置、以及具备该半导体装置的时钟数据恢复系统

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备锁存电路，所述半导体装置的特征在于，

所述锁存电路具备：

采样部，其具有差动输入节点被连接于栅极的差动对晶体管，对从所述差动输入节点向所述差动对晶体管的栅极提供的差动输入信号进行锁存；

共用调节部，其构成为从所述差动输入节点引入电流，通过基于电流控制信号调节所引入的电流量，来调节所述差动输入信号的共用电位；和

共用控制部，其将所述电流控制信号提供给所述共用调节部，进行控制使得所述差动对晶体管在饱和区进行动作。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具备多个所述采样部，

所述各采样部的所述差动对晶体管的栅极与连接于所述共用调节部的所述差动输入节点共同连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具备多个所述采样部以及所述共用调节部，

所述各采样部的所述差动对晶体管的栅极与各自连接于所述各共用调节部的彼此不同的所述差动输入节点分别连接，

所述各共用调节部共同接收所述电流控制信号。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备对所述差动输入节点输出所述差动输入信号的输出电路，

所述共用调节部具备第1以及第2晶体管，该第1以及第2晶体管在各自的栅极接收所述电流控制信号、各自的源极与第1电源连接，且各自的漏极与构成所述差动输入节点的第1以及第2节点分别连接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述共用控制部具备：

规定电位生成部，其生成规定电位的信号，将所生成的信号输出至规定电位节点；和

复制部，该复制部是所述采样部、所述共用调节部、以及所述输出电路的一部分或者全部的复制；

所述复制部具备：

复制采样部，该复制采样部是所述采样部的一部分或者全部的复制，具有作为构成所述差动对晶体管的晶体管之中的任意一个的复制的第1复制晶体管，该第1复制晶体管的漏极连接于所述复制部的输出节点；

复制共用调节部，该复制共用调节部是所述共用调节部的一部分或者全部的复制，具有在栅极接收所述电流控制信号、源极连接于所述第1电源、漏极连接于输出节点的所述第1以及第2晶体管之中的任意一个的复制即第2复制晶体管，该输出节点连接于所述第1复制晶体管的栅极；和

复制输出电路，该复制输出电路是所述输出电路的一部分或者全部的复制，其输出节点连接于所述第1复制晶体管的栅极，

所述共用控制部还具备：放大器，在一个输入端连接所述复制部的输出节点，在另一个输入端连接所述规定电位节点，输出让双方的输入端的电位被调节成大致同一电位的所述电流控制信号。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

在所述复制采样部、所述复制共用调节部、以及所述复制输出电路中，晶体管的沟道宽度尺寸以及电阻的电阻值被设定成让所述复制共用调节部中引入的电流量成为所述共用调节部中引入的电流量的约1/n倍，其中n>1。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

在所述复制采样部、所述复制共用调节部、以及所述复制输出电路中，晶体管的沟道宽度尺寸以及电阻的电阻值被设定成让所述复制共用调节部中引入的电流量成为所述共用调节部中引入的电流量的约n倍，其中n>1。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述规定电位生成部具备在所述第1电源与第2电源之间串联连接的第1以及第2电阻，所述第1电阻与所述第2电阻之间的节点连接于所述规定电位节点。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述采样部具备：

第1以及第2负载电路，各自的一端连接于第2电源，各自的另一端分别连接于所述差动对晶体管的各个晶体管的漏极；和

第3晶体管，其栅极接收第1时钟信号，对所述差动对晶体管的动作进行导通截止控制，

所述规定电位生成部具备：

在所述第2电源与所述规定电位节点之间连接的所述第1或者第2负载电路的复制；和

构成在所述规定电位节点与所述第1电源之间串联连接的所述差动对晶体管的晶体管之中的任意一个的复制、以及所述第3晶体管的复制。