[发明专利]制备用于微观结构诊断的样品的方法和设备

权利要求书

1.一种制备用于微观结构诊断的样品(P)的方法，所述样品尤其用于透射电子显微镜法TEM、扫描电子显微镜法或X射线吸收光谱法，

利用高能束(3)分别沿着平坦的、优选地具有平行面的盘(1)的两个相对定位的表面(2a，2b)照射所述盘(1)，使得，由于束(3)引起的材料去除，将凹陷部(5a，5b)分别引入到这两个表面(2a，2b)中，所述凹陷部(5a，5b)优选地平行于中心盘平面(4)延伸，

引入这两个凹陷部(5a，5b)，所述两个凹陷部(5a，5b)在所述中心盘平面(4)的两侧上延伸，使得在所述两个凹陷部(5a，5b)的纵轴线(6a，6b)到所述中心盘平面(4)上的投影中观看时，所述纵轴线(6a，6b)以预定角度α>0°、优选地α≥10°、优选地α≥20°、优选地α≥30°交叉，而且使得垂直于所述中心盘平面(4)观看时，在所述两个凹陷部(5a，5b)的交叉区域(7)中，具有预定最小厚度d₃的优选地已经电子束可透过的材料部分(8)在所述凹陷部(5a，5b)之间剩余作为样品(P)。

2.如前一项权利要求所述的方法，其特征在于：

在引入所述两个凹陷部(5a，5b)之后剩余在所述两个凹陷部(5a，5b)的交叉区域(7)中且剩余在所述两个凹陷部(5a，5b)之间的所述材料部分(8)的厚度通过离子束蚀刻(I)而进一步减小，即，垂直于所述中心盘平面(4)观看时，从所述预定最小厚度d₃开始，所述材料部分(8)被削薄到减小的最小厚度d_3+I，其中，d_3+I<d₃，

优选地根据以下特征中的一个、几个或全部特征实现所述离子束蚀刻(I)：

·相对于所述中心盘平面(4)切线入射在所述凹陷部(5a，5b)中，

·利用宽束离子源(13)或利用聚焦离子束FIB和/或离子微束单元，

和/或

·借助两个离子源，优选地两个宽束离子源，沿着引入的凹陷部(5a，5b)的纵轴线(6a，6b)观看时，利用两个离子源从两个方向照射到所述凹陷部(5a，5b)中。

3.如前述任一项权利要求所述的方法，其特征在于：

在所述凹陷部(5a，5b)的引入期间，所述高能束(3)、尤其是聚焦激光束相对于其照射方向(E)观看，设置成进行摆动运动(PT)，此外，优选地也设置成自身旋转(R)，以便引入沿着所述凹陷部(5a，5b)的纵轴线(6a，6b)观看时具有恒定横截面的凹陷部(5a，5b)，优选地，所述横截面为圆形截面或长方形孔截面的形状，

和/或

利用螺旋钻孔或螺旋钻切割进行所述凹陷部(5a，5b)的引入，优选地，利用螺旋钻头(9)或在开孔透镜系统的帮助下实现所述螺旋钻孔或螺旋钻切割。

4.如前述任一项权利要求所述的方法，优选地，如前一项权利要求所述的方法，其特征在于：

在所述凹陷部(5a，5b)的引入期间，所述盘(1)设置为围绕垂直于所述中心盘平面(4)的轴线进行旋转运动和/或枢转运动(β)。

5.如前述任一项权利要求所述的方法，优选地，如前两项权利要求中任一项所述的方法，其特征在于：

相对于所述盘(1)的参考点，优选地相对于位于所述盘的端侧窄面(12)上的参考点，将所述高能束(3)的焦点调整到预定间隔，优选地调整到零间隔，

和/或

在所述凹陷部(5a，5b)引入之前和/或在所述凹陷部(5a，5b)引入期间，将所述盘(1)定位在旋转轴上，优选地定位在偏心的旋转轴(10)上，

和/或

在所述凹陷部(5a，5b)引入之前和/或在所述凹陷部(5a，5b)引入期间，通过5轴定位机构(11)或4轴定位机构，优选地通过3轴位移台(轴x、轴y、轴z)和旋转轴(轴r)和线性轴(轴l)，来定位所述盘(1)。