[发明专利]成像装置有效
申请号: | 201280052176.0 | 申请日: | 2012-10-05 |
公开(公告)号: | CN103890947A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 黑川义元 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N1/028;H04N1/19;H04N5/222;H04N5/369 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 装置 | ||
1.一种成像装置,包括:
第一衬底;
具有与所述第一衬底的第一表面对置的第一表面的第二衬底;
所述第一衬底的所述第一表面上的发光元件、第一光接收元件及第二光接收元件;以及
所述第二衬底的所述第一表面与所述第二光接收元件之间的第一遮光膜,
其中,第一成像面位于所述第二衬底的第二表面上,
并且,第二成像面位于所述第一衬底的第二表面上。
2.根据权利要求1所述的成像装置,
其中从所述发光元件发射的光照射到所述第一成像面上的第一对象物,且从所述第一对象物反射的光照射到所述第一光接收元件,
并且从所述发光元件发射的光照射到所述第二成像面上的第二对象物,且从所述第二对象物反射的光照射到所述第二光接收元件。
3.根据权利要求1所述的成像装置,还包括所述第一衬底的所述第一表面与所述第一光接收元件之间的第二遮光膜。
4.根据权利要求1所述的成像装置,在所述第一衬底的所述第一表面上还包括:
电连接于所述发光元件的第一晶体管;
电连接于所述第一光接收元件的第二晶体管;以及
电连接于所述第二光接收元件的第三晶体管。
5.根据权利要求1所述的成像装置,还包括所述第一衬底的所述第一表面与所述第一光接收元件之间的第二遮光膜,
其中所述第一遮光膜及所述第二遮光膜都包含铬、氧化铬或黑色树脂。
6.一种成像装置,包括:
第一衬底;
具有与所述第一衬底的第一表面对置的第一表面的第二衬底;
所述第一衬底的所述第一表面上的第一发光元件、第二发光元件及第一光接收元件;
所述第一衬底的所述第一表面与所述第一发光元件之间的反射膜;以及
所述第二衬底的所述第一表面与所述第二发光元件之间的遮光膜,
其中,第一成像面位于所述第二衬底的第二表面上,
并且,第二成像面位于所述第一衬底的第二表面上。
7.根据权利要求6所述的成像装置,
其中从所述第一发光元件发射的光照射到所述第一成像面上的第一对象物,且从所述第一对象物反射的光照射到所述第一光接收元件,
并且从所述第二发光元件发射的光照射到所述第二成像面上的第二对象物,且从所述第二对象物反射的光照射到所述第一光接收元件。
8.根据权利要求6所述的成像装置,还包括所述第一衬底的所述第一表面上的第二光接收元件。
9.根据权利要求6所述的成像装置,在所述第一衬底的所述第一表面上还包括:
电连接于所述第一发光元件的第一晶体管;
电连接于所述第二发光元件的第二晶体管;以及
电连接于所述第一光接收元件的第三晶体管。
10.根据权利要求6所述的成像装置,
其中所述遮光膜包含铬、氧化铬或黑色树脂。
11.一种成像装置,包括:
第一衬底;
具有与所述第一衬底的第一表面对置的第一表面的第二衬底;
所述第一衬底的所述第一表面上的第一发光元件、第二发光元件、第一光接收元件及第二光接收元件;
所述第一衬底的所述第一表面与所述第一发光元件之间的反射膜;
所述第二衬底的所述第一表面与所述第二发光元件之间的第一遮光膜;以及
所述第二衬底的所述第一表面与所述第二光接收元件之间的第二遮光膜,
其中,第一成像面位于所述第二衬底的第二表面上,
并且,第二成像面位于所述第一衬底的第二表面上。
12.根据权利要求11所述的成像装置,
其中从所述第一发光元件发射的光照射到所述第一成像面上的第一对象物,且从所述第一对象物反射的光照射到所述第一光接收元件,
并且从所述第二发光元件发射的光照射到所述第二成像面上的第二对象物,且从所述第二对象物反射的光照射到所述第一光接收元件及所述第二光接收元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的