[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种能够使气氛气体均匀地分布的基板处理装置。

背景技术

基板处理装置应用于平板显示器的生产，并大致分为蒸镀（Vapor Deposition）装置和退火（Annealing）装置。

蒸镀装置作为用于形成构成平板显示器核心结构的透明导电层、绝缘层、金属层或硅层的装置，分为低压化学气相沉积（LPCVD：Low Pressure Chemical Vapor Deposition）或等离子体增强化学气相沉积（PECVD：Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）等方式的化学气相沉积装置和溅射（Sputtering）等方式的物理气相沉积装置。

退火装置在基板上蒸镀膜以后，提高蒸镀后的膜的特性，是对蒸镀后的膜进行结晶化或相变化的热处理装置。

热处理装置大致分为对一个基板进行热处理的单处理式（Single Substrate Type）和对多个基板进行热处理的批处理式（Batch Type），在大批量的生产中多使用批处理式基板处理装置。

基板处理装置包括：本体，在其内部形成有作为基板处理空间的腔室；多个加热器，设置在所述本体的内部，用于产生处理所述基板所需的热量；供气管，用于供给形成处理基板所需环境的气氛气体，如氩（Ar）、氮（N₂）、氢（H₂）等；以及排气管，用于向外部排出气氛气体。

现有的基板处理装置，在本体的相互对置的一侧面和另一侧面分别设置用于使气氛气体流入的流入管和用于排出气氛气体的排出管，并且使气氛气体从本体的一侧面流入后，向另一侧面排出。即，从本体内部一侧面流入的气氛气体向本体内部另一侧面流动，并通过本体的另一侧面向本体外部排出。

因此，现有的基板处理装置，根据本体内部的部位，气氛气体分布不均匀，从而导致本体内部的温度根据不同部位而各不相同。由此，多个基板的处理相互不同，且一个基板的不同部位的处理也不同，从而降低基板处理工艺的可靠性。

有关基板处理装置的在先技术，在韩国授权专利公报第10-0833712号等中已公开。

发明内容

技术问题

本发明是为了解决如上所述的现有技术的问题而提出的，本发明的目的在于提供一种基板处理装置，通过使气氛气体在本体内部的不同部位均匀地分布，以使本体内部温度均匀，从而能够提高基板处理工艺的可靠性。

问题解决手段

为了实现上述目的，本发明涉及的基板处理装置包括：本体，在其内部形成有作为基板处理空间的腔室，并且在前面形成有用于基板出入的出入口；多个加热器，设置在所述本体的内部，用于产生处理所述基板所需的热量；多个供气管，设置在所述本体的内部，且分别形成有多个吐气孔，用于向所述本体内部供给基板处理用气氛气体；多个排气管，设置在所述本体的内部，且分别形成有多个吸气孔，用于吸入流入到所述本体的所述气氛气体后排出。发明效果

本发明涉及的基板处理装置，气氛气体通过设置在本体内部的供气管的吐气孔均匀地供给到本体内部，并且，气氛气体通过设置在本体内部的排气管的吸气孔流经本体内部的所有部位后向外部排出。这样，气氛气体均匀地分布于本体内部的不同部位，因此本体内部的不同部位的温度均匀。由此，能够提高基板处理工艺的可靠性。

附图说明

图1是本发明的一实施例涉及的基板处理装置的立体图。

图2是表示图1所示的供气管和排气管的立体图。

图3是图2的仰视立体图。

图4是图1的右侧视图。

图5是本发明的另一实施例涉及的基板处理装置的右侧视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的特定实施例进行详细说明。详细说明这些实施例，以便本领域的技术人员能够充分实施本发明。本发明的多种实施例虽然有所不同，但不应理解为相互排斥。例如，记载于此的一实施例的特定形状、特定结构以及特性，在不超出本发明的精神以及范围的基础上，可以以其他实施例的形式体现。而且，应理解为，每个公开的实施例中的个别构成要素的位置或设置，可以在不超出本发明的精神以及范围的情况下进行变更。因此，后述的详细说明并非旨在限定，准确地说，本发明的范围仅以权利要求书所记载的内容为准，包括与其权利要求所主张的内容等同的所有范围。为了方便起见，也有可能夸张显示附图所示实施例的长度、面积、厚度及形态。

以下参照附图来详细说明本发明的实施例涉及的基板处理装置。