[发明专利]β－Ga2

说明书

本发明提供在还原气氛、惰性气氛中的施主浓度变化得到抑制的β－Ga₂O₃系基板的制造方法，以及能在还原气氛、惰性气氛下使品质偏差小的高品质结晶膜外延生长的结晶层叠结构体的制造方法。本发明提供的β－Ga₂O₃系基板的制造方法包括从含有IV族元素的β－Ga₂O₃系结晶中切出β－Ga₂O₃系基板的工序，其中，在包含还原气氛和惰性气氛中的至少一方的气氛下对切出上述β－Ga₂O₃系基板之前的β－Ga₂O₃系结晶或切出的上述β－Ga₂O₃系基板实施退火处理。

技术领域

本发明涉及β－Ga₂O₃系基板的制造方法及结晶层叠结构体的制造方法。

背景技术

以往，已知有通过导入Si等掺杂剂来控制β－Ga₂O₃系基板的电阻率的方法（例如可参见专利文献1）。

专利文献：

专利文献1：日本特开2005-235961号公报

发明内容

但是，将含有掺杂剂的β－Ga₂O₃系基板暴露于用MOCVD（Metal-Organic ChemicalVapor Deposition）法进行的外延结晶生长等的还原气氛、惰性气氛下时，有基板自身被还原、施主浓度增加之虞。

此外，随着施主浓度增加，主要在比近红外长的波长一侧区域，吸光特性会发生变化，在通过MOCVD等主要利用辐射进行加热的方法使结晶外延生长时，β－ Ga₂O₃系基板的温度在外延生长过程中会发生变化。对外延结晶生长而言，基板的温度是影响结晶品质的非常重要的参数，因此，在基板的温度特性随着基板的吸光特性的变化而发生变化时，会有使在其上生长的结晶的品质产生偏差之虞。

因此，本发明的目的在于提供还原气氛、惰性气氛中的施主浓度变化得到抑制的β－Ga₂O₃系基板的制造方法和能在还原气氛、惰性气氛下使品质偏差小的高品质的结晶膜外延生长的结晶层叠结构体的制造方法。

为了达成上述目的，本发明的一实施方式提供〔1〕～〔4〕的β－Ga₂O₃系基板的制造方法和〔5〕～〔8〕的结晶层叠结构体的制造方法。

〔1〕β－Ga₂O₃系基板的制造方法，包括从含有IV族元素的β－Ga₂O₃系结晶中切出β－Ga₂O₃系基板的工序，其中，在包含还原气氛和惰性气氛中的至少一方的气氛下对切出上述β－Ga₂O₃系基板之前的β－Ga₂O₃系结晶或切出的上述β－Ga₂O₃系基板实施退火处理。

〔2〕上述〔1〕所述的β－Ga₂O₃系基板的制造方法，其中，上述还原气氛为 H₂气氛。

〔3〕上述〔1〕或〔2〕所述的β－Ga₂O₃系基板的制造方法，其中，上述惰性气氛为包含N₂气氛、Ar气氛、Ne气氛和He气氛中的至少一方的气氛。

〔4〕上述〔1〕或〔2〕所述的β－Ga₂O₃系基板的制造方法，其中，上述IV族元素为硅。