[发明专利]β－Ga2

权利要求书

1.一种β－Ga₂O₃系基板的制造方法，其特征在于，包括：

使含有IV族元素的β－Ga₂O₃系结晶生长的工序；

基板切出工序，从所述含有IV族元素的β－Ga₂O₃系结晶中切出β－Ga₂O₃系基板；以及

施主浓度增加工序，在不含有H₂的惰性气氛下对所述β－Ga₂O₃系结晶或所述β－Ga₂O₃系基板实施退火处理，使所述β－Ga₂O₃系结晶或所述β－Ga₂O₃系基板的施主浓度增加而接近所述IV族元素的浓度，

所述施主浓度增加工序中的所述退火处理的温度在1000℃以上1725℃以下，

所述施主浓度增加工序是所述β－Ga₂O₃系基板即使在所述施主浓度增加工序后被置于还原气氛或惰性气氛下，也抑制施主浓度的变化从而抑制所述β－Ga₂O₃系基板的温度变化的工序，

所述IV族元素为Si。

2.根据权利要求1所述的β－Ga₂O₃系基板的制造方法，其特征在于，所述不含有H₂的惰性气氛和所述施主浓度增加工序后的惰性气氛为包含N₂气氛、Ar气氛、Ne气氛和He气氛中的至少一方的气氛。

3.一种结晶层叠结构体的制造方法，其特征在于，包括：

使含有IV族元素的β－Ga₂O₃系结晶生长的工序；

基板切出工序，从所述含有IV族元素的β－Ga₂O₃系结晶中切出β－Ga₂O₃系基板；

施主浓度增加工序，在不含有H₂的惰性气氛下对切出所述β－Ga₂O₃系基板之前的所述β－Ga₂O₃系结晶或所述β－Ga₂O₃系基板实施退火处理，使所述β－Ga₂O₃系结晶或所述β－Ga₂O₃系基板的施主浓度增加而接近所述IV族元素的浓度；以及

外延生长工序，在包含还原气氛和惰性气氛中的至少一方的气氛下使结晶膜在所述β－Ga₂O₃系基板上外延生长，

所述施主浓度增加工序中的所述退火处理的温度在1000℃以上1725℃以下，

所述施主浓度增加工序是所述β－Ga₂O₃系基板在被置于所述外延生长工序的所述还原气氛或惰性气氛下时，抑制所述β－Ga₂O₃系基板的温度变化来防止所述外延生长工序中在所述β－Ga₂O₃系基板上外延生长的所述结晶膜的剥离的工序，

所述IV族元素为Si。

4.根据权利要求3所述的结晶层叠结构体的制造方法，其特征在于，所述不含有H₂的惰性气氛和所述外延生长工序的惰性气氛为包含N₂气氛、Ar气氛、Ne气氛和He气氛中的至少一方的气氛。