[发明专利]化合物半导体薄膜形成用油墨及其制造方法

权利要求书

1.一种CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子的制造方法，其具备：使含有金属盐或金属配位化合物的溶液与含有硫属化物盐的溶液发生反应来制造CZTS化合物纳米粒子。

2.根据权利要求1所述的CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子的制造方法，其中，制造所述纳米粒子的温度为-67℃以上且25℃以下。

3.根据权利要求1或2所述的CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子的制造方法，其中，所述金属盐含有卤原子。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子的制造方法，其中，所述金属盐是碘化金属盐。

5.根据权利要求4所述的CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子的制造方法，其中，所述碘化金属盐为选自CuI、ZnI₂及SnI₂中的至少1种。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子的制造方法，其中，所述硫属化物盐为选自Na₂Se及Na₂S中的至少1种。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子的制造方法，其中，所述纳米粒子由Cu_2-xZn_1+ySnS_zSe_4-z所示的化合物构成，式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤4。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子的制造方法，其中，所述纳米粒子为由选自Cu_2-xS_ySe_2-y、Zn_2-xS_ySe_2-y及Sn_2-xS_ySe_2-y中的式子表示的化合物中的至少1种，式Cu_2-xS_ySe_2-y中0≤x≤1、0≤y≤2，式Zn_2-xS_ySe_2-y中0≤x≤1、0≤y≤2，式Sn_2-xS_ySe_2-y中0≤x≤1、0≤y≤2。

9.根据权利要求1～3中任一项所述的CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子的制造方法，其中，所述纳米粒子的粒径为1～200nm。

10.根据权利要求7所述的CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子的制造方法，其中，构成所述纳米粒子的化合物的各元素的组成比为Cu/（Zn＋Sn）＝0.6～0.99。

11.一种CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子，其是通过权利要求1～3中任一项所述的方法制得的。

12.一种CZTS化合物半导体薄膜形成用油墨，其是将权利要求11所述的纳米粒子分散于有机溶剂中而成的。

13.一种CZTS化合物半导体薄膜形成用油墨的制造方法，其具备：使权利要求11所述的纳米粒子分散于有机溶剂中。

14.根据权利要求13所述的CZTS化合物半导体薄膜形成用油墨的制造方法，其中，所述有机溶剂为选自甲醇及吡啶中的至少1种。

15.根据权利要求13或14所述的CZTS化合物半导体薄膜形成用油墨的制造方法，其包含在所述油墨中添加选自Se化合物及S化合物中的至少1种作为粘合剂。

16.根据权利要求13或14所述的CZTS化合物半导体薄膜形成用油墨的制造方法，其包含在所述油墨中添加硫脲作为粘合剂。

17.根据权利要求13或14所述的CZTS化合物半导体薄膜形成用油墨的制造方法，其包含在所述油墨中添加选自含有Se元素的粒子及含有S元素的粒子中的至少1种作为粘合剂。

18.根据权利要求13或14所述的CZTS化合物半导体薄膜形成用油墨的制造方法，其包含在所述油墨中添加选自Se粒子及S粒子中的至少1种作为粘合剂。